[发明专利]一种基于聚合物前驱体陶瓷的高温压力传感器有效

专利信息
申请号: 201811525806.7 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109678519B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 高燕;黄思杰;刘金铃;刘佃光 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C04B35/571 分类号: C04B35/571;C04B35/589;C04B35/622;G01L19/06
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 王沙沙
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 聚合物 前驱 陶瓷 高温 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种基于聚合物前驱体陶瓷的高温压力传感器,其特征在于,包括从上到下依次设置的上压层(3)、中间层(1)和下压层(4);上压层(3)和下压层(4)外表面均喷涂有铂层;上压层(3)和下压层(4)的上方和下方均接触设置有金属导电层(5);上压层(3)、中间层(1)和下压层(4)外设置在封装壳(6)内;中间层(1)上表面向上延伸出封装壳(6)形成压头(2);上压层(3)对应导电层和下压层(4)对应导电层中均外接导线(7);所述中间层(1)和压头(2)为氧化锆制备;上压层(3)和下压层(4)通过键合工艺组装在一起;上压层(3)、下压层(4)和封装壳(6)均为聚合物前驱体陶瓷制备,所述聚合物前驱体陶瓷采用方法1或者方法2制备;

方法1:

步骤1:在聚碳硅氮烷前驱体溶液中加入4wt%的过氧化二异丙苯,充分混合;

步骤2:在高纯氮气条件下在150℃条件下保温1h,然后在350℃条件下保温2h;

步骤3:将步骤2得到的材料球磨、造粒后压制成型,然后在300MPa下冷等静压得到样品;

步骤4:将步骤3得到的样品在900℃条件下裂解,得到陶瓷A;

步骤5:将步骤4得到的陶瓷浸入 溶解4wt%过氧化二异丙苯的前驱体溶液中,真空浸渍30min,在150℃条件下保温1h,在350℃条件下保温2h,然后在900℃条件下裂解;

步骤6:重复步骤2~5 n次后,得到陶瓷B;

步骤7:将陶瓷B在1400℃条件下裂解得到所需聚合物前驱体陶瓷;

方法2:

步骤1:在聚碳硅氮烷前驱体溶液中加入5wt%的光固化剂,在60℃条件下磁力搅拌0.5h,然后脱泡;

步骤2:将步骤1得到的溶液进行光固化;

步骤3:将步骤2固化得到的固体在150℃条件下保温1h,然后在350℃条件下保温2h;然后在1400℃条件下裂解得到所需聚合物前驱体陶瓷;

所述聚碳硅氮烷结构如下:

式中:Me为甲基,Vi为乙烯基。

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