[发明专利]一种新型阳极氧化铝模板以及纳米阵列的制备方法

权利要求书

1.一种阳极氧化铝模板的制备方法，包括：对抛光铝片进行一次电解处理；移除一次电解所产生的氧化铝层；在铝基底表面制备聚苯乙烯小球；刻蚀聚苯乙烯小球；在刻蚀后的铝基底上沉积二氧化硅薄膜，去除聚苯乙烯小球；对铝基底进行二次电解处理得到氧化铝模板，对氧化铝模板进行扩孔处理。

2.根据权利要求1所述的阳极氧化铝模板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀聚苯乙烯小球步骤中，采用氧离子刻蚀处理聚苯乙烯小球，所述氧离子刻蚀功率为20W-100W，频率为20khz-100khz，氧气流量为2sccm-10sccm，经过50min-150min将所述聚苯乙烯小球刻蚀到1.1μm-1.45μm。

3.根据权利要求1所述的阳极氧化铝模板的制备方法，其特征在于，所述氧化铝模板的制备方法还包括以下条件的任一项或多项：

A1)所述刻蚀后的铝基底上沉积二氧化硅薄膜的步骤中，在刻蚀的铝基底上沉积150nm-250nm二氧化硅薄膜；

A2)所述对铝基底进行二次电解的步骤中，在铝基底表面形成一层200nm-600nm厚度的多孔氧化铝层，孔道直径在40nm；

A3)所述对氧化铝模板进行扩孔处理步骤中，所述孔道被扩孔至40nm-80nm。

4.一种如权利要求1-3任一项所述制备方法制备的阳极氧化铝模板，包括铝基底、位于铝基底上的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜是具有六方排列微米孔状阵列的薄膜，铝基底上未被二氧化硅薄膜覆盖的部分为六方排列微米孔状阵列，所述铝基底上未被二氧化硅薄膜覆盖的部分设有多孔氧化铝层，所述多孔氧化铝层的厚度为200nm-600nm，所述多孔氧化铝层的孔道结构为六方排列，所述孔道直径是40nm-80nm。

5.根据权利要求4所述的阳极氧化铝模板，其特征在于，所述铝基底上未被二氧化硅薄膜覆盖的部分的直径0.8μm-1.35μm。

6.一种纳米阵列的制备方法，所述制备方法包括：除去权利要求4～5任一权利要求所述的阳极氧化铝模板的铝基底。

7.根据权利要求6所述的纳米阵列的制备方法制备得到的纳米阵列。

8.一种纳米阵列的制备方法，所述制备方法包括：在权利要求4～5任一权利要求所述的阳极氧化铝模板孔道中填充二氧化硅、二氧化钛中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在权利要求4～5任一项所述的阳极氧化铝模板孔道中填充前驱体、热处理，在二氧化硅表面形成支撑层，除去多孔氧化铝层以及铝基底。

10.根据权利要求8-9任一项权利要求所述的纳米阵列的制备方法制备得到的纳米阵列。