[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201811524811.6 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109545835B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括:
基底;
多个像素单元,位于所述基底上;其中,
所述多个像素单元中的至少一个包括:感光单元、发光单元,以及位于所述感光单元和所述发光单元之间的层间绝缘层;所述感光单元,用以检测所述发光单元所发出的光;其特征在于,
所述层间绝缘层对应所述感光单元外围轮廓的至少部分位置设置有凹槽;所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元在所述基底的正投影不重合,所述发光单元覆盖所述凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述感光单元包括:光敏二极管。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述光敏二极管包括:依次设置在所述基底上的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层;其中,
所述P型掺杂半导体层与反偏电压信号线电连接;
所述光敏二极管靠近其P型掺杂半导体层所连接所述反偏电压信号线的侧面为连接侧;
所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元除所述连接侧外在所述基底的正投影的轮廓相邻。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括多条扫描线、多条反偏电压信号线、多条信号读取线;多条所述扫描线和多条所述反偏电压信号线交叉设置限定出所述多个像素单元;所述多个像素单元中的每个还包括开关晶体管;其中,
位于同一行的所述开关晶体管的控制极连接同一条所述扫描线;位于同一列的所述开关晶体管的第一极连接同一条信号读取线;每个所述像素单元中的所述开关晶体管的第二极连接所述光敏二极管的N型掺杂半导体层;
位于同一列的所述光敏二极管的P型掺杂半导体层连接同一条所述反偏电压信号线。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述多个像素单元中的至少一个中还包括电容;所述电容连接在其所在所述像素单元中的所述光敏二极管的N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光单元包括有机电致发光器件;所述有机电致发光器件包括依次设置在基底上第一极、发光层、第二极。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述第一极的材料包括氧化铟锡或氧化锌;
所述第二极的材料包括:锂、镁、钙、锶、铝、铟,或者铜、金、银的合金中的任意一种。
8.一种显示基板的制备方法,包括:
形成多个像素单元;
所述形成所述多个像素单元具体包括:在基底上依次形成感光单元、层间绝缘层、发光单元;
其特征在于,在形成所述发光单元之前还包括:
在所述层间绝缘层对应感光单元外围轮廓的至少部分位置形成凹槽;其中,所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元在所述基底的正投影不重合,所述发光单元覆盖所述凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述感光单元包括:光敏二极管;
所述光敏二极管包括:依次设置在所述基底上的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层;其中,
所述P型掺杂半导体层与反偏电压信号线电连接;
所述光敏二极管靠近其P型掺杂半导体层所连接的所述反偏电压信号线的侧面为连接侧;
所述凹槽在所述基底的正投影与所述感光单元除所述连接侧外在所述基底的正投影的轮廓相邻。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7中任一项所述的显示基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811524811.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示器件及其制备方法
- 下一篇:一种OLED显示装置及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的