[发明专利]多层陶瓷电子组件有效
申请号: | 201811523884.3 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN110880414B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 姜心忠;李银贞;洪奇杓;朴龙 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/224;H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 何巨;田硕 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子 组件 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述介电层设置在所述第一内电极与所述第二内电极之间,所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠并分别暴露于所述陶瓷主体的在长度方向上的一个侧表面和另一侧表面;以及
第一外电极和第二外电极,设置在所述陶瓷主体的外表面上,以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,
其中,所述陶瓷主体包括所述第一内电极和所述第二内电极在厚度方向上重叠的重叠区域以及位于所述重叠区域的在宽度方向上的一侧和另一侧上的宽度方向上的边缘区域,并且
所述宽度方向上的边缘区域包括磷酸基第二相,
其中,所述磷酸基第二相的长轴的长度大于等于0.5μm且小于等于2μm。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述宽度方向上的边缘区域的在所述宽度方向上的厚度为10μm或更小。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述磷酸基第二相还包括Ba和Si。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,设置在所述第一内电极与所述第二内电极之间的所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小,
所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的平均厚度为0.4μm或更小,并且
所述第一内电极和所述第二内电极的层数为400层或更多。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述陶瓷主体还包括覆盖区域,所述覆盖区域位于所述重叠区域的在厚度方向上的一侧和另一侧上,并且
所述覆盖区域包括所述磷酸基第二相。
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述覆盖区域具有20μm或更小的厚度,并且分别比所述第一外电极的厚度和所述第二外电极的厚度厚。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述磷酸基第二相物理地关联到另一磷酸基第二相。
8.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述介电层设置在所述第一内电极与所述第二内电极之间,所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠并分别暴露于所述陶瓷主体的在长度方向上的一个侧表面和另一侧表面;以及
第一外电极和第二外电极,设置在所述陶瓷主体的外表面上,以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,
其中,所述陶瓷主体包括所述第一内电极和所述第二内电极在厚度方向上重叠的重叠区域以及位于所述重叠区域的在宽度方向上的一侧和另一侧上的宽度方向上的边缘区域,并且
所述重叠区域包括磷酸基第二相,且所述宽度方向上的边缘区域包括磷酸基第二相,
其中,所述宽度方向上的边缘区域的磷酸基第二相的分布率大于所述重叠区域的磷酸基第二相的分布率。
9.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述介电层设置在所述第一内电极与所述第二内电极之间,所述第一内电极和第二内电极交替地堆叠并分别暴露于所述陶瓷主体的在长度方向上的一个侧表面和另一侧表面;以及
第一外电极和第二外电极,设置在所述陶瓷主体的外表面上,以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,
其中,所述陶瓷主体包括所述第一内电极和所述第二内电极在厚度方向上重叠的重叠区域以及位于所述重叠区域的在厚度方向上的一侧和另一侧上的覆盖区域,并且
所述覆盖区域包括磷酸基第二相,
其中,所述磷酸基第二相的长轴的长度大于等于0.5μm且小于等于2μm。
10.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述覆盖区域具有20μm或更小的厚度。
11.根据权利要求9所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述磷酸基第二相还包括Ba和Si。
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