[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201811520911.1 | 申请日: | 2018-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN109509780B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
| 发明(设计)人: | 李伟;夏晶晶;周斌;苏同上;胡迎宾;张扬;宋威;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L21/336 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种显示面板及其制备方法、显示装置。其中,显示面板的制备方法,包括以下步骤:在衬底上制备色阻层,所述色阻层包括膜层部和开口部;在所述色阻层上制备透明光刻胶层,所述透明光刻胶层包括与所述膜层部对应第一部和与所述开口部对应的第二部,所述第一部和所述第二部的表面不在同一平面内;对所述透明光刻胶层进行处理,使所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内,以使处理后的所述透明光刻胶层作为平坦层。上述显示面板的制备方法,可以提高显示面板的产品良率和显示效果,并且,显示面板制备过程比较简单。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
常规采用COA工艺制备的OLED装置,主要包括以下步骤:在制作好TFT的钝化层的阵列基板上进行RGB彩膜的构图工艺,形成RGBW四个子像素;在此基础上涂覆一层有机绝缘膜作为平坦层,经一次构图工艺,在平坦层开孔露出钝化层;在开孔处的钝化层上进行一次刻蚀工艺,形成过孔(VIA);后续工艺在此基础上继续制作像素电极。其间,所存在的问题是:由于受透过率损失的限制以及设备涂胶总量的限制,有机平坦层不能太厚,如此便会影响其平坦化能力,导致不设有滤光膜的子像素(如W子像素)处的平坦层凹陷,平坦层表面平坦度不一,影响产品良率及显示效果;尤其对于喷墨打印OLED而言,该问题带来的影响最严重,由于表面不平,打印的墨水容易跨越子像素间的间隔(Bank),发生溢流,污染相邻子像素,造成显示串扰,严重影响显示效果。
发明内容
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,目的是提供一种简单的显示面板制备方法、以改善由于彩膜层的开口导致的产品不良。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:
在衬底上制备色阻层,所述色阻层包括膜层部和开口部;
在所述色阻层上制备透明光刻胶层,所述透明光刻胶层包括与所述膜层部对应第一部和与所述开口部对应的第二部,所述第一部和所述第二部的表面不在同一平面内;
对所述透明光刻胶层进行处理,使所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内,以使处理后的所述透明光刻胶层作为平坦层。
上述显示面板的制备方法,在色阻层上方形成了透明光刻胶层,通过处理使该透明光刻胶层表面平坦,并保留该透明光刻胶层作为平坦层,从而可以在色阻层上方形成平坦的表面,进而一方面可以提高出光均匀性,另一方面可以提高色阻层上方器件(如OLED器件)的制作良率,从而提高显示面板的产品良率和显示效果。并且,由于光刻胶层的处理方法简单,通过光刻工艺可以直接形成各种图形或表面,用于替代平坦层还能够减少涂覆和剥离的步骤,因此,该显示面板的制备过程比较简单。
可选的,在所述色阻层上制备透明光刻胶层,具体包括:采用负性光刻胶,在所述色阻层上制备透明光刻胶层;
对所述透明光刻胶层进行处理,具体包括:
采用第一掩膜板对所述透明光刻胶层进行曝光,所述第一掩膜板包括半曝光区域和全曝光区域,所述半曝光区域与所述第一部对应,所述全曝光区域与所述第二部对应;
对所述透明光刻胶层进行显影,去除部分所述第一部,以使剩余第一部的表面和所述第二部的表面处于同一平面内。
可选的,在所述色阻层上制备透明光刻胶层,具体包括:采用正性光刻胶,在所述色阻层上制备透明光刻胶层;
对所述透明光刻胶层进行处理,包括:
采用第二掩膜板对所述透明光刻胶层进行曝光,所述第二掩膜板包括半曝光区域和遮光区域,所述半曝光区域与所述第一部对应,所述遮光区域与所述第二部对应;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





