[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201811517013.0 | 申请日: | 2018-12-12 |
公开(公告)号: | CN110880493A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 金雄来;高福林;金起业;李釉钟 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
第一半导体芯片,其具有位于所述第一半导体芯片的第一区域的第一焊盘区域和位于所述第一半导体芯片的第二区域的第二焊盘区域;以及
第二半导体芯片,其具有位于所述第二半导体芯片的第一区域的第三焊盘区域和位于所述第二半导体芯片的第二区域的第四焊盘区域,
其中,所述第二半导体芯片层叠在所述第一半导体芯片上并且在水平方向上相对于所述第一半导体芯片偏移。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片以Z字形方式垂直层叠,以暴露所述第一焊盘区域、所述第二焊盘区域、所述第三焊盘区域和所述第四焊盘区域。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述第一半导体芯片的所述第一区域是所述第一半导体芯片的第一边缘区域;
其中,所述第一半导体芯片的第二区域是与所述第一半导体芯片的所述第一边缘区域相邻的第二边缘区域;
其中,所述第二半导体芯片的所述第一区域是所述第二半导体芯片的第一边缘区域;以及
其中,所述第二半导体芯片的所述第二区域是与所述第二半导体芯片的所述第一边缘区域相邻的第二边缘区域。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述第一焊盘区域被设置为沿第一方向延伸,所述第二焊盘区域被设置为沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向相交;以及
其中,所述第三焊盘区域被设置为沿所述第一方向延伸,所述第四焊盘区域被设置为沿所述第二方向延伸。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,
其中,所述第一焊盘区域和所述第三焊盘区域相对于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的中心点是点对称的;以及
其中,所述第二焊盘区域和所述第四焊盘区域相对于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的中心点是点对称的。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一半导体芯片包括:
第一控制电路,其被设置为与所述第一焊盘区域相邻;被配置为对命令进行解码以产生第一写入信号和第一读取信号;被配置为对地址进行解码以产生第一选择地址和第二选择地址以及第一存储体组地址至第四存储体组地址;以及被配置为接收或输出数据;
第一存储区域,其位于所述第一控制电路的与所述第一焊盘区域相背离的一侧,并且被配置为包括第一存储体组至第四存储体组,如果所述第一选择地址被使能,则所述第一存储体组至第四存储体组根据所述第一存储体组地址至第四存储体组地址被激活;以及
第二存储区域,其位于所述第一控制电路的与所述第一焊盘区域相背离的一侧,并且被配置为包括第五存储体组至第八存储体组,如果所述第二选择地址被使能,则所述第五存储体组至第八存储体组根据所述第一存储体组地址至第四存储体组地址被激活。
7.如权利要求6所述的半导体封装件,
其中,所述第一存储体组至第八存储体组被排列在所述第一存储区域和第二存储区域的第二水平方向上;以及
其中,被包括在所述第一存储体组至第八存储体组的每一个存储体组中的多个存储体被排列在所述第一存储区域或所述第二存储区域的第一水平方向上。
8.如权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述第一存储区域和所述第二存储区域被设置为彼此相邻。
9.如权利要求6所述的半导体封装件,其中,所述第一存储体组至第八存储体组被配置为分别通过第一至第八输入/输出线来接收或输出所述数据。
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