[发明专利]一种应用于DC-DC转换器的平均电流检测电路有效

专利信息
申请号: 201811516649.3 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN111313697B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 丁万新;刘政清;潘文捷;谢阔 申请(专利权)人: 上海川土微电子有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M3/158;G01R19/00
代理公司: 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 代理人: 崔巍
地址: 201306 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 dc 转换器 平均 电流 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于DC-DC转换器的平均电流检测电路,其特征在于:所述平均电流检测电路包括依次连接的平均电流采样模块、电流转换模块以及积分比较模块;

所述平均电流采样模块包括高侧电流检测电路、电阻R31、NMOS管MN31、1/2*Ton产生电路、电容器Cs;

所述电阻R31与高侧电流检测电路、NMOS管MN31的漏极连接,NMOS管MN31的源极与比较器U1的正极输入端、采样电容器Cs连接,NMOS管MN31的栅极与1/2*Ton产生电路的比较器U3的输出端连接;

所述电流转换模块包括运放U1、NMOS管MN32、电阻R32、PMOS管MP31;

所述运放U1的正极输入端与NMOS管MN31的源极连接,运放U1的负极输入端与电阻R32、NMOS管MN32的源极连接,运放U1的输出端与NMOS管MN32的栅极连接,NMOS管MN32的漏极与PMOS管MP31的漏极、栅极连接;

所述积分比较模块包括PMOS管MP32、开关S31、电容器C31、NMOS管MN41、比较器U2、NMOS管MN42、电容器C41、开关S32;

所述PMOS管MP32的栅极与PMOS管MP31栅极、漏极连接,PMOS管MP32的漏极与开关S31连接,开关S31还与电容器C31、NMOS管MM41的漏极、比较器U2的正极输入端连接,比较器U2的负极输入端与NMOS管MN42的漏极、电容器C41、开关S32连接,NMOS管MN41和MOS管MN42的栅极分别输入脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的应用于DC-DC转换器的平均电流检测电路,其特征在于:所述1/2*Ton产生电路包括NMOS管M51、电容器C51、NMOS管M52以及比较器U3、电流偏置Ib和电流偏置2*Ib,所述NMOS管M51和NMOS管M52的漏极与比较器U3的负极输入端连接,同时,NMOS管M51的漏极与电流偏置Ib相连,NMOS管M51的源极经过电容器C51接地,NMOS管M52的源极与电流偏置2*Ib相连,NMOS管M51和NMOS管M52的栅极分别输入脉冲信号。

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