[发明专利]去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法有效
| 申请号： | 201811516115.0 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109616475B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 董立群;刘政红;张强;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 侧壁 ono 结构 阻挡 氧化 残留 工艺 方法 | ||
1.一种去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，提供半导体基底，所述半导体基底依次形成有隧穿氧化层和氮化硅层；
步骤S2，生长第一阻挡氧化层，所述第一阻挡氧化层与氮化硅层、隧穿氧化层构成ONO结构，所述第一阻挡氧化层的厚度为20埃～30埃；
步骤S3，在所述ONO结构上涂抗反射涂层，并在所述抗反射涂层上涂光刻胶；
步骤S4，显影打开非SONOS存储区域；
步骤S5，干法刻蚀去除非SONOS存储区域顶部的第一阻挡氧化层；
步骤S6，去除SONOS存储区域的光刻胶和抗反射涂层；
步骤S7，湿法刻蚀去除非SONOS存储区域的氮化硅层；
步骤S8，生长第二阻挡氧化层。
2.根据权利要求1所述的去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，在步骤S2中，第一阻挡氧化层的生成方法是ISSG工艺。
3.根据权利要求1所述的去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，在步骤S5中，干法刻蚀第一阻挡氧化层的过程中降低刻蚀偏压，去除侧壁的第一阻挡氧化层。
4.根据权利要求1所述的去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，在步骤S7中，刻蚀氮化硅层的刻蚀液为H3PO4。
5.根据权利要求1所述的去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，在步骤S8中，第二阻挡氧化层的厚度为45埃～50埃。
6.根据权利要求1所述的去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，在步骤S8中，第二阻挡氧化层的生成方法是ISSG工艺。
7.根据权利要求1所述的去除侧壁ONO结构中阻挡氧化层残留的工艺方法，其特征在于，在步骤S8中，SONOS存储区域在半导体基底上自下而上依次为隧穿氧化层、氮化硅层、第一阻挡氧化层和第二阻挡氧化层，非SONOS存储区域在半导体基底上自下而上依次为隧穿氧化层和第二阻挡氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
