[发明专利]一种低掺杂硅电极的蚀刻液在审
| 申请号： | 201811512695.6 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109575923A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李少平;张庭;贺兆波;尹印;万杨阳;冯凯;王书萍 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C23F1/24 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 蚀刻液 硅电极 低掺杂 氟化铵 氯化铵 硝酸 表面粗糙度 蚀刻表面 铵根离子 研磨 补充剂 超纯水 粗糙度 氢氟酸 小气泡 可控 去除 硫酸 损伤 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液主要组成包括占蚀刻液总重量45-65%的硫酸、1-10%的硝酸、1-10%的氟化铵、1-10%的氯化铵、5-52%的水。
2.根据权利要求1所述的低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的硫酸浓度≥96%。
3.根据权利要求1所述的低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的硝酸浓度为50-75%。
4.根据权利要求1所述的低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的氟化铵的含量≥98%。
5.根据权利要求1所述的低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的氯化铵的含量≥99.8%。
6.根据权利要求1所述的低掺杂硅电极的蚀刻液，其特征在于，所述的水为室温下电阻率为15.0-18.0MΩ*cm的超纯水。
7.根据权利要求1所述的低掺杂硅电极的蚀刻液在气体干法蚀刻机台中的配件上的应用，所述的低掺杂硅电极的电阻率>1Ω*cm。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，蚀刻温度为20-40℃，蚀刻时间为3min。
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