[发明专利]一种冗余图形添加方法在审
| 申请号: | 201811512190.X | 申请日: | 2018-12-11 | 
| 公开(公告)号: | CN109711006A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 | 
| 发明(设计)人: | 姜立维;魏芳;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 | 
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 | 
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 | 
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 冗余图形 窗格 第一类区域 原始版图 化学机械研磨工艺 半导体制造领域 形貌 第二类区域 分布均匀性 工艺窗口 晶片表面 目标图形 原始图形 补充 图层 沉积 切割 | ||
1.一种冗余图形添加方法,其特征在于,执行下述步骤:
步骤S1,提取一预设版图中某个图层,并将所述图层按照一定窗格大小切割成若干窗格;
步骤S2,将所述窗格划分为可添加冗余图形的添加区域以及具有原始版图的原始版图区域;
步骤S3,于所述窗格中,在所述原始版图区域中根据所述原始版图的版图图形划分出具有第一类沉积特性的第一类区域,以及具有第二类沉积特性的第二类区域;
步骤S4,计算所述第一类区域占所在窗格的第一面积比例,以及所述第二类区域中占所在窗格的第二面积比例;
步骤S5,判断所述窗格中的所述原始版图图形的原始图形密度是否小于一预设的目标图形密度,并在所述原始图形密度小于所述目标图形密度时转向步骤S6;
步骤S6,根据所述第一面积比例以及所述第一类区域占所述窗格的第一目标比例,在所述添加区域内补充添加对应于所述第一类区域的第一类冗余图形,以及
根据所述第二面积比例以及所述第二类区域占所述窗格的第二目标比例,在所述添加区域内补充添加对应于所述第二类区域的第二类冗余图形。
2.根据权利要求1所述一种冗余图形添加方法,其特征在于,所述步骤S2中,按照所述图层上的图形设计规则,划定各个所述窗格中的所述添加区域。
3.根据权利要求1所述一种冗余图形添加方法,其特征在于,具有第一类沉积特性的所述第一类区域为超沉积区域;
对应于所述第一类区域中添加的所述第一类冗余图形为超沉积冗余图形;
所述超沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列;
所述超沉积冗余图形中,所述一维线的线宽小于一预设的第一阈值,相邻的所述一维线之间的线间距小于一预设的第二阈值。
4.根据权利要求3所述一种冗余图形添加方法,其特征在于,具有第二类沉积特性的所述第二类区域为均匀沉积区域;
对应于所述第二类区域中添加的所述第二类冗余图形为均匀沉积冗余图形;
所述均匀沉积冗余图形为由间隔一定距离的一维线组成的图形阵列;
所述均匀沉积冗余图形中,所述一维线的线宽大于一预设的第三阈值。
5.根据权利要求4所述一种冗余图形添加方法,其特征在于,所述第一阈值、所述第二阈值和所述第三阈值均通过下述方法确定:
步骤A1,设计测试用图形单元;
步骤A2,依据所述测试用图形单元制造测试用光罩;
步骤A3,采用所述测试用光罩对晶片进行加工,形成测试用晶片;
步骤A4,对所述测试用晶片进行测试,以收集测试数据;
步骤A5,依照所述测试数据确定所述第一阈值、所述第二阈值和所述第三阈值。
6.根据权利要求1所述的一种冗余图形添加方法,其特征在于,所述步骤S6中,根据所述第一面积比例以及所述第一目标比例补充添加所述第一类冗余图形的步骤具体包括:
步骤S61a,根据所述第一类区域的面积和所述窗格的面积计算得到所述第一面积比例;
步骤S62a,判断所述第一面积比例是否大于一预设的第一目标比例,并在所述第一面积比例不大于所述第一目标比例时,在所述添加区域内补充添加所述第一类冗余图形,直至所述第一面积比例等于所述第一目标比例为止。
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