[发明专利]一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法

权利要求书

1.一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法，其特征在于：

超分辨光刻结构由入射光方向依次往下的特殊材料感光层和由金属层，感光介质层和硅材料层组成等离子体共振腔结构组成，而非传统的金属-介质-金属共振腔结构，无需传统金属掩模或覆盖有金属薄膜的介质掩模，无需实现掩模与基片间纳米级间隙控制；

光刻过程中需进行两次曝光，第一次曝光使得特殊感光材料层的折射率分布发生变化，从而导致透过率分布出现变化，并在第二次曝光过程中充当振幅型光栅掩模；更换照明条件进行第二次曝光，由第一次曝光得到的感光材料掩模激发下，共振腔结构内激发出表面等离子体模式并相互干涉，得到超分辨干涉光场。

2.根据权利要求1所述的一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法，其特征在于：两次曝光所需的照明光源存在差异，该差异对应的特性包括，照明光源波长、照明光源强度、照明时间、偏振态、照明方向，其作用在于确保第一次曝光时使特殊感光材料层的透过率分布发生变化，并足以在第二次曝光时充当振幅型光栅掩模，且透过率分布不发生明显变化。

3.根据权利要求1所述的一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法，其特征在于：共振腔结构中的金属层材料可在紫外至可见光波段激发表面等离子体，包括银、铝、金。