[发明专利]功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造功率半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底中形成沟槽；

在所述沟槽的内壁上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；

将第一导电类型杂质注入至所述半导体衬底中，以形成第一导电类型基体区；

将第二导电类型杂质注入至所述半导体衬底的表面上，以形成第二导电类型源极区；

在所述沟槽中形成层间绝缘膜；

将所述第一导电类型杂质注入至所述半导体衬底的所述表面上，以形成第一导电类型高掺杂基体接触区；

暴露所述沟槽的侧表面的一部分；以及

形成与所述沟槽的所暴露的侧表面接触的源极金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述沟槽的侧表面的一部分的所述暴露包括：蚀刻所述层间绝缘膜的一部分，以同时暴露所述第二导电类型源极区和所述第一导电类型高掺杂基体接触区；以及

所述层间绝缘膜仅设置在所述沟槽的内部处。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，仅所述第一导电类型高掺杂基体接触区通过台面区域的顶表面而暴露，所述台面区域被限定在所述沟槽与另一沟槽之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电类型高掺杂基体接触区和所述第二导电类型源极区通过台面区域的顶表面而暴露，所述台面区域被限定在所述沟槽与另一沟槽之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽的侧表面的一部分的所述暴露包括：使用没有单独掩模的全面蚀刻来蚀刻所述层间绝缘膜的所述一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着所述沟槽的所述侧表面，所述第二导电类型源极区被形成，并且与台面区域的顶表面间隔一定距离，所述台面区域被限定在所述沟槽与另一沟槽之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源极金属被形成为与所述沟槽的侧表面、所述第二导电类型源极区和所述第一导电类型高掺杂基体接触区接触。

8.一种功率半导体器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成的沟槽；

被限定在相邻沟槽之间的台面区域；

在所述沟槽中的每个沟槽的内壁上设置的栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上设置的栅电极；

在所述台面区域的上部处设置的第一导电类型高掺杂基体接触区；

与所述台面区域的顶表面间隔一定距离、并且沿所述沟槽中的每个沟槽的侧表面布置的第二导电类型源极区；

被设置成与所述第一导电类型高掺杂基体接触区和所述第二导电类型源极区接触的第一导电类型基体区；以及

被设置成与所述台面区域的侧表面、所述第二导电类型源极区和所述第一导电类型高掺杂基体接触区接触的源极金属。

9.根据权利要求8所述的功率半导体器件，其中，所述第一导电类型高掺杂基体接触区和所述第二导电类型源极区与所述沟槽中的每个沟槽的侧表面接触。

10.根据权利要求8所述的功率半导体器件，还包括：

在所述沟槽中的每个沟槽的内部处设置的层间绝缘膜。

11.根据权利要求10所述的功率半导体器件，其中，所述源极金属与所述层间绝缘膜接触。

12.根据权利要求10所述的功率半导体器件，其中，所述层间绝缘膜的最上部的高度水平低于所述第二导电类型源极区的最上部的高度水平。

13.根据权利要求8所述的功率半导体器件，其中，所述第二导电类型源极区被设置成沿着所述沟槽中的每个沟槽的侧表面在所述沟槽中的每个沟槽的深度方向上延伸。