[发明专利]线圈部件

说明书

提供一种线圈部件，能够抑制线圈部件的外部电极中含有的Ag的迁移的产生。线圈部件(100)具有：由绝缘体构成的元件主体(1)；设置于元件主体(1)的内部或者表面的线圈导体；以及，设置于元件主体(1)的表面且与线圈导体导通的外部电极(3a、3b、3c、3d)。外部电极(3a、3b、3c、3d)具有含有平均粒径为4.2μm～15μm的Ag粒子的含Ag的层。通过将Ag粒子的平均粒径设为4.2μm～15μm，Ag粒子的晶界减少，可以抑制Ag的离子化反应。由此，可以对Ag的迁移的产生进行抑制。

技术领域

本发明涉及具备外部电极的线圈部件。

背景技术

线圈部件中有一种如下线圈部件，其具有：设置有线圈导体的元件主体以及以与线圈导体导通地设置在元件主体上的外部电极。

作为这种线圈部件之一，在专利文献1中记载了一种线圈部件，其中，在非磁性体部与磁性体部进行层叠而成的层叠体的两端面上，设置有含Ag的外部电极，在非磁性体部内设置有两个线圈导体。

另外，在专利文献2中记载了一种具备含Ag的外部电极的线圈部件。该线圈部件中，外部电极是使用含有平均粒径为0.5μm～0.9μm的银粉末、玻璃熔块(glass frit)及有机载体的导电性膏形成的。认为通过这样的构成，可以形成空洞少的致密的厚膜外部电极，可以提供可靠性高的线圈部件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-73475号公报

专利文献2：日本特开2005-5591号公报

发明内容

在此，将专利文献2所记载的外部电极应用于专利文献1中记载的线圈部件时，可以得到具有空洞少致密的厚膜外部电极的线圈部件，但是，由于两个线圈导体之间的电位差，外部电极中含有的Ag发生迁移，外部电极之间有可能产生短路。

尤其是将线圈部件制成小型化而外部电极之间的距离变短时，容易发生Ag的迁移。

本发明是解决上述课题的发明，其目的在于提供一种能够抑制外部电极中含有的Ag发生迁移的线圈部件。

本发明的线圈部件的特征在于，具有：由绝缘体构成的元件主体，在所述元件主体的内部或表面设置的线圈导体，以及，设置于所述元件主体的表面并与所述线圈导体导通的外部电极；其中，所述外部电极具有含Ag的层，所述含Ag的层含有平均粒径为4.2μm～15μm的Ag粒子。

所述含Ag的层所含的Ag粒子的晶界长度与面积之比为1.1以下。

另外，其还可以具有设置在所述含Ag的层上的镀覆层，所述镀覆层的厚度为3.6μm～20μm。

所述的镀覆层可以包括：含Ni的Ni层，以及，含有Sn且形成于所述Ni层上的Sn层；所述Ni层的厚度设为3μm以上。

所述元件主体可以是层叠有多个绝缘层的层叠体，所述线圈导体构成为具有设置于所述绝缘层上的平面导体，以及对设置于不同的绝缘层上的所述平面导体进行连接的层间导体。

所述绝缘层可以包括以铁氧体为主成分的磁性体层及玻璃陶瓷层，所述线圈导体设置在所述玻璃陶瓷层的内部。

所述含Ag的层可以包含0.5重量％～2重量％的玻璃相，所述玻璃相包含Bi、Si、Zn和B中的至少一种。

所述含Ag的层的孔面积率可以为8.3％以下。

根据本发明的线圈部件，外部电极中含有的Ag粒子的平均粒径是4.2μm～15μm，因此Ag粒子的粒界减少，从而可以抑制Ag的离子化反应。由此，可以抑制Ag的迁移的发生，可以抑制由Ag的迁移引起的外部电极之间的短路。

附图说明