[发明专利]一种太阳能电池单元、太阳能电池以及制造方法在审

专利信息
申请号: 201811509613.2 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN111312828A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 马亮 申请(专利权)人: 东泰高科装备科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/0392;H01L31/0735;H01L31/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;姜春咸
地址: 102200 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 单元 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池单元,所述太阳能电池单元包括太阳能电池本体,其特征在于,所述太阳能电池单元还包括设置在所述太阳能电池本体的外表面的至少一部分上的透光抗辐射层,所述透光抗辐射层能够阻止入射在该透光抗辐射层上的波长小于紫外线的波长的辐射波穿过该透光抗辐射层进入所述太阳能电池本体。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述透光抗辐射层设置在所述太阳能电池本体的采光面上,且所述透光抗辐射层能够将所述辐射波转换为波长不低于紫外线的光。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述透光抗辐射层由闪烁晶体材料制成。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述闪烁晶体材料包括碱金属卤化物闪烁晶体、碱土金属卤化物闪烁晶体、稀土金属卤化物闪烁晶体、钾冰晶石型金属卤化物闪烁晶体中的至少一者。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述碱金属卤化物闪烁晶体中的碱金属卤化物的化学式为AX或AX:Z,其中,A选自Li、Na、K、Rb、Cs中的任意一种,X选自F、Cl、Br、I中的任意一种,Z选自Na+、Ca2+、Sb、Bi、Pb、[CO3]2-、Tl+、Yb2+中的任意一种;

所述碱土金属卤化物闪烁晶体中的碱土金属卤化物的化学式为AX2或AX2:Eu2+,其中,A选自Ca、Sr、Ba中的任意一种,X选自F、Cl、Br、I中的任意一种;

所述稀土金属卤化物闪烁晶体中的稀土金属卤化物的化学式为AX3或AX3:Ce3+,其中,A选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc中的任意一种,X选自F、Cl、Br、I中的任意一种;

所述钾冰晶石型金属卤化物闪烁晶体中的钾冰晶石型金属卤化物的化学式为A2BLnX6或A2BLnX6:Ce3+,其中,A选自Li、Na、K、Rb、Cs中的任意一种,B选自Li、Na、K、Rb、Cs中的任意一种,X选自F、Cl、Br、I中的任意一种,Ln选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc中的任意一种。

6.根据权利要求2至5中任意一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述太阳能电池单元还包括抗反射层,所述抗反射层设置于所述透光抗辐射层远离所述太阳能电池本体的一侧。

7.根据权利要求2至5中任意一项所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述太阳能电池本体包括光电转换层,所述光电转换层包括层叠设置的N型半导体部和P型半导体部,所述N型半导体部和所述P型半导体部的材料均包括砷化镓,

所述N型半导体部远离所述P型半导体部的一侧或所述P型半导体部远离所述N型半导体部的侧面形成为所述太阳能电池本体的采光面。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池单元,其特征在于,所述太阳能电池本体还包括设置在所述采光面上的前电极层,所述前电极层包括至少一个前电极,所述透光抗辐射层覆盖所述前电极层。

9.一种太阳能电池,所述太阳能电池包括至少一个太阳能电池单元,其特征在于,所述太阳能电池单元为权利要求1至8中任意一项所述的太阳能电池单元。

10.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:

提供衬底;

在衬底上形成多个太阳能电池本体;

在各个所述太阳能电池本体的采光面上形成透光抗辐射层,所述透光抗辐射层能够阻止入射在该透光抗辐射层上的波长小于紫外线的波长的辐射波穿过该透光抗辐射层进入所述太阳能电池本体;

在所述透光抗辐射层的背离所述采光面的表面上形成抗反射层。

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