[发明专利]片内电压调节器间的时序控制系统及时序控制方法

权利要求书

1.一种时序控制系统，用于在至少两个片内电压调节器之间进行时序控制，其特征在于，所述时序控制系统包括电源管理单元、电压检测单元、延时单元和逻辑门电路，所述电源管理单元用于提供外部输入电压和系统逻辑电平信号，所述电压检测单元用于根据阈值电压和一个片内电压调节器的输出电压输送电平信号，所述延时单元用于延时输出所述电平信号，所述逻辑门电路用于对延时输出的所述电平信号、所述电压检测单元输出的所述电平信号以及所述系统逻辑电平信号进行逻辑作用，以向另一个片内电压调节器输出控制信号，所述控制信号用于控制所述片内电压调节器的起电或关电，其中，所述逻辑门电路具有第一与门、第二与门、第一或门和第二或门，所述电源管理单元向至少两个所述片内电压调节器输送输入电压，通过所述第二或门向一个所述片内电压调节器输送所述系统逻辑电平信号，以及通过所述第二与门向另一个所述片内电压调节器输送所述系统逻辑电平信号，所述电压检测单元输出所述电平信号后，所述延时单元延时输出所述电平信号，所述电压检测单元包括第一电压检测单元和第二电压检测单元，所述延时单元包括第一延时单元和第二延时单元，所述第一电压检测单元的输出端分别与所述第一延时单元的输入端以及所述第一与门的输入端连接，所述第一延时单元、所述第一与门和所述第二与门串联连接，所述第二与门的输出端接另一个所述片内电压调节器，所述第二电压检测单元的输出端分别与所述第二延时单元的输入端以及所述第一或门的输入端连接，所述第二延时单元、所述第一或门和所述第二或门串联连接。

2.如权利要求1所述的时序控制系统，其特征在于，所述电压检测单元为迟滞比较器。

3.如权利要求1所述的时序控制系统，其特征在于，所述电压检测单元包括比较器、边沿D触发器和门电路，所述比较器与所述边沿D触发器串联连接，所述比较器对所述输出电压和所述阈值电压进行比对，所述比较器输出的信号与所述边沿D触发器输出的信号经所述门电路输出给所述延时单元。

4.如权利要求1所述的时序控制系统，其特征在于，所述电压检测单元具有两个迟滞比较器和两个与非门，每个所述迟滞比较器的输出端均串联一个所述与非门，两个所述与非门交叉耦合，其中一个所述与非门的输出端接所述第一延时单元的输入端。

5.如权利要求1所述的时序控制系统，其特征在于，所述电压检测单元具有两个比较器、两个边沿D触发器、两个或门以及两个与非门，每个所述比较器均与一个所述边沿D触发器、一个所述或门以及一个所述与非门串联连接，所述或门的另一个输入端接所述比较器的输出端，两个所述与非门交叉耦合，其中一个所述与非门的输出端接所述第一延时单元的输入端。

6.如权利要求1所述的时序控制系统，其特征在于，所述电压检测单元和所述延时单元之间设置有电平转换单元。

7.如权利要求6所述的时序控制系统，其特征在于，所述电平转换单元包括第一逆变器、第二逆变器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一逆变器和所述第二逆变器串联连接，所述第二逆变器的输出端接所述第一NMOS管的栅极，所述第一逆变器和所述第二逆变器之间的节点接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地，所述第一NMOS管的漏极接所述第一PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的漏极接所述第二PMOS管的漏极，所述第一PMOS管与所述第二PMOS管交叉耦合。

8.如权利要求1所述的时序控制系统，其特征在于，所述片内电压调节器和所述电压检测单元之间设置有电压变换网络，所述电压变换网络用于对所述片内电压调节器的输出电压进行变换。

9.如权利要求8所述的时序控制系统，其特征在于，所述电压变换网络包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端接所述片内电压调节器的输出端，所述第二电阻的一端接地，所述第一电阻和所述第二电阻之间的分压点接所述第一电压检测单元的输入端。