[发明专利]一种泡沫镍基高负载NiCo2S4复合电极的制备方法

权利要求书

1.一种泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：依次包括以下步骤：

第一步，将环氧树脂预聚物与固化剂的液态混合物充填入泡沫镍泡沫孔，接着使环氧树脂完全固化；

第二步，将充填环氧树脂的泡沫镍烧结，使环氧树脂碳化，得到环氧树脂碳化产物填塞的泡沫镍；

第三步，将碳化产物填塞的泡沫镍放入水溶性镍盐和水溶性钴盐的混合水溶液中，转入水热反应釜中进行水热反应，负载镍钴前驱体；

第四步，将碳化产物填塞泡沫镍的负载镍钴前驱体，放入水溶性硫化物的水溶液中，再转入水热反应釜中进行第二次水热，得到泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极。

2.根据权利要求2所述的泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：第二步的烧结条件是，惰性气氛下，250～400℃下烧结1～3小时。

3.根据权利要求1或2所述的泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：第三步采用的水溶性镍盐为氯化镍、硫酸镍、硝酸镍之一种或一种以上；水溶性钴盐为氯化钴、硫酸钴、硝酸钴之一种或一种以上。

4.根据权利要求1～3任一项所述的泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：水溶性镍盐所含的镍和水溶性钴盐所含的钴两者的摩尔比为1∶2。

5.根据权利要求1～4任一项所述的泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：第三步的水热温度为110～140℃，水热时间为10～14小时。

6.根据权利要求1～5任一项所述的泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：第四步采用的水溶性硫化物为硫化钠、硫化钾、硫代乙酰胺之一种或一种以上。

7.根据权利要求1～6任一项所述的泡沫镍基高负载NiCo₂S₄复合电极的制备方法，其特征在于：第四步采用的水热温度为170～190℃，水热时间为4～8小时。