[发明专利]一种封装方法及封装器件在审
| 申请号: | 201811506059.2 | 申请日: | 2018-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN109712898A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
| 发明(设计)人: | 沈海军 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龙 |
| 地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板 锡膏层 封装 封装器件 回流处理 芯片 第一区域 直接固定 背对 锡膏 申请 预制 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
在基板/框架的表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层,并将所述基板/框架进行回流处理;
在所述第一锡膏层背对所述基板/框架一侧形成第二锡膏层,并将所述基板/框架进行回流处理;
直接通过所述第二锡膏层将芯片与所述基板/框架固定。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述在基板/框架表面的至少一个第一区域形成第一锡膏层,包括:
将第一网板放置于所述基板/框架表面,其中,所述第一网板包括相背设置的第一侧和第二侧,且所述第一网板在其至少中部区域设置有多个贯穿所述第一侧和所述第二侧的第一网孔,所述第一网孔与所述第一区域对应;
在所述第一网板的所述第一侧涂覆锡膏,所述锡膏经所述第一网孔落到所述第一区域以形成所述第一锡膏层。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述基板/框架的表面的第一锡膏层上形成第二锡膏层包括:
将第二网板放置于所述基板/框架表面,所述第二网板包括相背设置的第三侧和第四侧,且所述第二网板在其至少中部区域设置有多个贯穿所述第三侧和所述第四侧的第二网孔,所述第二网孔与所述第一锡膏层对应;
在所述第二网板的所述第三侧上涂覆所述锡膏,所述锡膏经所述第二网孔落到所述基板/框架表面的所述第一锡膏层上以形成所述第二锡膏层。
4.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,所述第一网孔与所述第二网孔在所述基板/框架所在平面的投影的中心重合,且所述第一网孔与所述第二网孔的尺寸相同。
5.根据权利要求3所述的封装方法,其特征在于,所述第一网孔与所述第二网孔在所述基板/框架所在平面的投影的中心重合,且所述第二网孔的尺寸小于所述第一网孔的尺寸。
6.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述在基板/框架表面的多个第一区域形成第一锡膏层之前,所述封装方法还包括:
在所述基板/框架表面的多个所述第一区域之间形成氧化层。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述在所述基板/框架的表面对应第一锡膏层的位置形成第二锡膏层之前,所述封装方法还包括:
在所述基板/框架表面的多个所述第一锡膏层之间形成氧化层。
8.根据权利要求6或7所述的封装方法,其特征在于,
所述第一锡膏层回流后,相邻所述第一锡膏层之间具有第一空隙;
所述第二锡膏层回流后,所述第一锡膏层和位于所述第一锡膏层上的所述第二锡膏层结合为同一锡膏块,相邻所述锡膏块之间具有第二空隙。
9.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述将所述芯片与所述基板/框架表面直接通过所述第二锡膏层固定包括:
提供所述芯片,所述芯片的表面设置有焊盘,所述焊盘表面设置有金属件,所述金属件端部没有锡膏;
将所述金属件与所述第二锡膏层回流,以使得所述芯片与所述基板/框架的表面固定。
10.一种封装器件,其特征在于,所述封装器件采用权利要求1-9任一项所述的封装方法形成,所述封装器件包括:
基板/框架,所述基板/框架的表面设置有至少一个第一区域,且所述第一区域形成有第一锡膏层以及位于第一锡膏层上的第二锡膏层;
芯片,所述芯片与所述第二锡膏层固定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通富微电子股份有限公司,未经通富微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811506059.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





