[发明专利]可调控反射率的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜有效
| 申请号: | 201811504028.3 | 申请日: | 2018-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN109371365B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 蒋建中;孙丽娟;曹庆平;张冬仙;王晓东 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 邱启旺 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 调控 反射率 zr cu al ti 金属 玻璃 薄膜 | ||
1.一种可调控反射率的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜,其特征在于,它通过以下方法制备得到:
(1)制备靶材:按Zr、Cu、Al、Ti的原子总含量100at.%计,Zr的原子含量为44.0~49.0at.%,Cu的原子含量为41.5~48.5at.%,Al的原子含量为6.5~7.5at.%,Ti的原子含量为1.0~2.0at.%;将Zr、Cu、Al、Ti按配比混合后置于真空熔炼炉中,在真空度2.5×10-3~3.0×10-3帕、电流值2.5~3.0安培下熔炼得到锭子,再将锭子置于浇铸炉中,在真空度1.0×10-2~8×10-3帕、电流为60~80安培下浇铸成靶材;
(2)将步骤(1)制备的靶材置于多靶磁控溅射镀膜设备的靶位上;
(3)基底采用晶面方向为100的硅单面抛光片,将硅单面抛光片抛光面朝下,安装在多靶磁控溅射镀膜设备的基片架上;
(4)将多靶磁控溅射镀膜设备的腔体抽真空至溅射室腔内气压为5.0×10-7帕,将基底温度调至25~400℃,然后充入体积百分比高于98%的氩气,调节多靶磁控溅射镀膜设备的分子泵挡板阀至腔内气压为0.3帕,在溅射功率79~81W、溅射电流为0.259~0.275安培、溅射电压为292~305伏特、基片架公转速度为3转/分下溅射66.9~67.1分钟,制得Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜;
(5)将制得的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜转移至与溅射室相连的真空度为8.0×10-4~9.0×10-3帕的样品室中,冷却至室温后取出。
2.根据权利要求1所述的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜,其特征在于,所述步骤(1)中,Zr、Cu、Al、Ti的原子含量为46.5at.%、45.0at.%、7.0at.%、1.5at.%。
3.根据权利要求1所述的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜,其特征在于,所述步骤(1)中,在真空熔炼炉熔炼时将锭子反转并重复熔炼4次,保证最终靶材的成分均匀。
4.根据权利要求1所述的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜,其特征在于,所述步骤(3)中,硅单面抛光片的直径为25.4毫米,厚度为1毫米,均方根粗糙度为0.6nm。
5.根据权利要求1所述的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜,其特征在于,所述步骤(4)中,溅射功率为80W。
6.根据权利要求1所述的Zr-Cu-Al-Ti金属玻璃薄膜,其特征在于,所述步骤(4)中,溅射时间为67分钟。
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