[发明专利]菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法

说明书

菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法属于地膜覆盖技术领域。本发明的主要技术环节是：刨坑深10㎝～13㎝，座水播种，水沉后，采用垄两侧覆土，形成齿形垄，双垄覆膜后，形成拱高约15㎝的小拱棚，使菜豆子叶期在膜下度过，避开晚霜，等苗长至接触拱棚时，划破膜，将苗引出。本发明用工少、成本低、采收早、效益高。虽然是地膜覆盖，却起到了小拱的作用，抗风又稳定，达到了育苗移栽的早熟效果，广泛受到了种植者的欢迎。

技术领域

本发明属于地膜覆盖技术领域，特别是涉及到菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法。

背景技术

传统地膜覆盖技术中，地膜与土壤零距离接触而容易导致烤苗现象的发生，利用枝条等插入垄两侧在垄上形成拱门做地膜覆盖的支架，枝条的用量过大，耗时费力，且易倒，稳定性差。

因此现有技术当中亟需要一种新型的技术方案来解决这一问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法用于解决传统地膜覆盖技术中，地膜与土壤零距离接触会发生烤苗现象，利用枝条作支架，耗时费力且稳定性差的技术问题。

菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法，包括以下步骤，并且以下步骤顺次进行，

步骤一、在垄台的中部依次刨坑，坑的深度均为10㎝～13㎝；

步骤二、向坑内注水，水沉后向坑内播菜豆种子；

步骤三、保持相邻两个坑之间的土不动，将坑两侧的土推入坑中，将种子覆盖，形成齿形垄；

步骤四、给齿形垄上部喷除草剂；

步骤五、地膜覆盖相邻两条齿形垄，地膜展平并在地膜两侧盖土；

步骤六、在地膜的中间与垄沟对应的位置压土，形成以相邻两个坑之间的土为支撑的拱高为12㎝～15㎝的拱棚；

步骤七、苗长至接触拱棚，划破膜，将苗引出，并在苗两侧的地膜上压土。

通过上述设计方案，本发明可以带来如下有益效果：

本发明利用刨深坑后坑边与坑内的高度差，地膜覆盖后形成拱高约15㎝的小拱棚，使菜豆子叶期在膜下度过，在不增加成本的前提下有效地提早了“菜豆的播期与采收期7天～15天，增加了亩产值。本发明用工少、成本低、采收早、效益高。虽然是地膜覆盖，却起到了小拱的作用，抗风又稳定，达到了育苗移栽的早熟效果，广泛受到了种植者的欢迎。

具体实施方式

菜豆地膜覆盖齿形垄的栽培方法，包括以下步骤，并且以下步骤顺次进行：

步骤一、沿着垄的延展方向在垄台的中部依次刨坑，刨的坑呈单排均匀分布，坑的深度均为10㎝～13㎝；

步骤二、向坑内注水，水面下沉至低于坑沿后，向坑内播菜豆种子，确保种子不会随水流出坑外；

步骤三、保持相邻两个坑之间的土不动，在水完全沉入土中后，将坑两侧的土推入坑中，将菜豆种子覆盖，形成齿形垄；

步骤四、给齿形垄上部均匀喷洒除草剂，防止覆膜后膜中野草生长，与种子抢夺水分和养分；

步骤五、地膜覆盖相邻两条齿形垄，地膜展平并在地膜两侧盖土并压实；

步骤六、在地膜的中间与垄沟对应的位置压土，形成以相邻两个坑之间的土为支撑的拱高约15㎝的拱棚，使菜豆子叶期在膜下度过，；

步骤七、避开晚霜，等苗长至接触拱棚时划破膜，将苗引出，并在苗两侧的地膜上压土。