[发明专利]一种S波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件有效
| 申请号： | 201811500565.0 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109616394B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 丁恩燕;张运俭 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/24 | 分类号： | H01J23/24 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波段 引导 磁场 紧凑型 功率 微波 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种S波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件，其特征是：包括有同轴波导外筒、同轴内导体、阴极；所述同轴波导外筒套在同轴内导体外部；所述阴极设置在同轴内导体的前端；所述同轴波导外筒内壁上设置有S波段谐振腔结构；所述阴极产生的环形电子束经过S波段谐振腔结构后能够激励产生高功率微波；
所述S波段谐振腔结构包括有沿环形电子束传输方向依次设置的第一微波反射腔、第二微波反射腔、束波互作用腔和微波提取腔；
所述第一微波反射腔内外半径分别为3.8cm、7.5cm，轴向长度为2.0cm；第二微波反射腔内外半径分别为3.8cm、7.5cm，轴向长度为2.0cm；束波互作用腔内外半径分别为3.8cm、7.0cm，轴向长度为2.5cm；微波提取腔内外半径分别为3.8cm、7.5cm，轴向长度为2.0cm；所述第一微波反射腔与第二微波反射腔束波互作用腔轴向距离为1.0cm；第二微波反射腔与束波互作用腔轴向距离为1.5cm；束波互作用腔与微波提取腔轴向距离为4.0cm；以使谐振腔结构的轴向总长度仅为15cm，为辐射微波波长的1.22倍。
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