[发明专利]一种晶体抛光模板及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种晶体抛光模板，由底板和型腔板组成，其特征在于，所述底板和型腔板的材质独立地包括氧化铝陶瓷板、氧化锆陶瓷板、碳化硅陶瓷板、玻璃纤维环氧树脂板、碳纤维环氧树脂板、铝合金板、镁合金板或铸铁板。

2.根据权利要求1所述的晶体抛光模板，其特征在于，所述底板和型腔板在350g/cm²压力条件下，压缩比均小于0.1％。

3.根据权利要求1所述的晶体抛光模板，其特征在于，所述型腔板根据晶体加工的形状设计成型。

4.根据权利要求1或3所述的晶体抛光模板，其特征在于，所述型腔板的形状包括圆形、长方形或正方形。

5.根据权利要求1或3所述的晶体抛光模板，其特征在于，所述型腔板含有定位边或定位卡槽。

6.权利要求1～5任一项所述晶体抛光模板的制备方法，包括以下步骤：

将底板切割，抛光，得到成型底板；

将型腔板原材料设计成型，得到成型的型腔板；

将所述成型底板与所述成型的型腔板粘合，得到所述晶体抛光模板。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述抛光使用的抛光剂包括氮化铝、碳化硅或碳化硼。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述成型底板的厚度为0.1mm～20mm，所述型腔板的厚度为加工工件厚度的70％。

9.根据权利要求6或8所述的制备方法，其特征在于，所述成型底板的平整度≤5μm。

10.权利要求1～5任一项所述晶体抛光模板或权利要求6～9任意一项所述制备方法制得的晶体抛光模板在蓝宝石、碳化硅和单晶硅衬底抛光过程中的应用。