[发明专利]带有分段集电极的内部堆叠的NPN

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

包括半导体材料的衬底；以及

堆叠的NPN双极晶体管对即堆叠的NPN，包括：

第一NPN双极晶体管即第一NPN，其包括第一集电极，所述第一集电极包括在所述衬底中的第一n型半导体材料的集电极段；以及

第二NPN双极晶体管即第二NPN，其包括耦合到所述第一NPN的第一发射极的第二集电极，以及包括在所述衬底中的第二n型半导体材料的第二发射极；

其中：

每个集电极段具有指向所述第二发射极的定向方向；

相邻的集电极段由集电极分隔器横向分隔，所述集电极分隔器与所述相邻的集电极段中的所述定向方向对齐，所述集电极分隔器将所述相邻的集电极段彼此电隔离；

每个集电极段沿着该集电极段的所述定向方向是连续的；以及

所述集电极段位于所述第二发射极的至少两个相对侧上。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一集电极不具有与任何所述定向交叉的集电极分隔器。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集电极段中的每个包括在所述第一基极上的n型阱。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集电极分隔器包括在所述衬底中的p型半导体材料。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集电极分隔器包括场氧化层的部分。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一发射极包括n型掩埋层的一部分，所述n型掩埋层的所述部分在所述第一基极下方延伸。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述第一发射极包括通过垂直n型区的一部分连接到所述n型掩埋层的所述部分的n型阱的一部分。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二集电极包括n型掩埋层的一部分，所述n型掩埋层的所述部分在所述第二基极下方延伸。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述第二集电极包括通过垂直n型区的一部分连接到所述n型掩埋层的所述部分的n型阱的一部分。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一发射极与所述第二集电极邻接。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第二基极包括所述衬底中的p型阱；以及

所述第二发射极包括所述p型阱上的n型有源区域。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述集电极段包括在所述第二发射极的第一侧上的第一集电极段，其中所述第一集电极段中的所述定向方向彼此平行；以及

所述集电极段包括在所述第二发射极的与所述第一侧相对的第二侧上的第二集电极段，其中所述第二集电极段中的所述定向方向彼此平行。

13.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述堆叠的NPN具有同心配置，其中所述集电极段被定位成至少部分地围绕所述第二发射极。

14.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一集电极连接到所述集成电路的受保护线路，所述受保护线路包括互连线。

15.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二发射极连接到所述集成电路的接地线，所述接地线包括互连线。

16.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二发射极包括发射极分隔器，其中每个发射极分隔器与最靠近所述发射极分隔器的所述集电极段中的所述定向方向对齐，其中所述发射极分隔器阻止所述第二发射极中的与所述发射极分隔器交叉的电流流动。