[发明专利]一种基于肖特基结的电流测量装置

说明书

本发明涉及一种基于肖特基结的电流测量装置，包括N型半导体，N型半导体相连的金属体，N型半导体的外表面设置有导线固定层，并且导线固定层上设置有螺旋形的导线固定槽，固定槽为非均匀分布，该导线固定层分为绝缘导热区和绝缘隔热区，绝缘导热区和绝缘隔热区首尾相接，包裹于N型半导体的侧面；N型半导体置于磁场中，该磁场的方向与待测电流方向、肖特基产生的肖特基势垒的电场方向垂直；该基于肖特基结的电流测量装置通过待测电流改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，从而使得N型半导体内部出现微型电场，从而改变肖特基结的肖特基势垒的。

技术领域

本发明涉电流测量技术领域，具体涉及一种基于肖特基结的电流测量装置。

背景技术

目前市面上常见的电流测量产品，可以根据产品的设计和技术进行分类，也可以根据电流测量的指导原理进行分类。

根据电流测量的指导原理目前常见的电流测量设备分为以下四类：以欧姆定律为指导的测量技术，包括分流电感测量、导体Trce电阻和电感寄生电阻感测；法拉第电磁感应定律为指导的测量技术，包括罗氏线圈和电流变压器测量；通过测量磁场进而测量电流，包括霍尔效应、磁通门、各向异性磁电阻和巨磁阻效应；以及法拉第效应(磁致光旋效应)为指导的测量技术，包括旋光仪电流测量方法和干涉仪电流测量方法。

现有的电流检测装置，特别是在检测直流方面，所使用的检测装置结构复杂，需要大量的电子器件，检测过程复杂，需要多次测量不同的数据才可以进行电流计算。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是解决现有的电流检测装置，特别是在检测直流方面，所使用的检测装置结构复杂，需要大量的电子器件，检测过程复杂，需要多次测量不同的数据进行电流计算的问题。

为此，本发明提供了一种基于肖特基结的电流测量装置，包括N型半导体，以及与N型半导体相连的金属体，所述N型半导体的外表面设置有导线固定层，并且导线固定层上设置有螺旋形的导线固定槽，所述固定槽为非均匀分布，该导线固定层分为绝缘导热区和绝缘隔热区，所述绝缘导热区和绝缘隔热区首尾相接，包裹于N型半导体的侧面；所述N型半导体置于磁场中，该磁场的方向与待测电流方向、肖特基产生的肖特基势垒的电场方向垂直。

所述N型半导体为一端大一端小的锥形。

所述导线固定槽的分布方式为靠近N型半导体的一端密集，靠近N型半导体的另一端稀疏。

所述导线固定层的厚度为30nm～150nm。

所述绝缘导热区为硅酸铝纤维纸。

所述绝缘隔热区为绝缘导热硅胶或石膏。

本发明的有益效果：本发明提供的这种基于肖特基结的电流测量装置，解决现有的电流检测装置，特别是在检测直流方面，所使用的检测装置结构复杂，需要大量的电子器件，检测过程复杂，需要多次测量不同的数据进行电流计算的问题，通过待测电流改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，从而使得N型半导体内部出现微型电场，从而改变肖特基结的肖特基势垒的，通过检测肖特基的肖特基势垒的变化，来检测电流，该基于肖特基结的电流测量装置不仅结构简单，而且容易进行直流电流的检测。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是基于肖特基结的电流测量装置结构示意图。

图2是N型半导体横截图示意图。

图3是基于肖特基结的电流测量装置的N型半导体为锥面结构示意图。

图4是不同密度的导线固定槽示意图。