[发明专利]一种稀土离子双掺杂Bi4 有效
| 申请号： | 201811487950.6 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109439326B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘丁菡;刘运;陶兴旺;王凯;白少杰;王蓉 | 申请（专利权）人： | 成都海星宝科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/74 | 分类号： | C09K11/74 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 610017 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 离子 掺杂 bi base sub | ||
1.一种稀土离子双掺杂Bi4P2O11发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，
步骤1，将Bi2O3、NH4H2PO4、Sm2O3和Dy2O3均匀混合，研磨后得到稀土离子双掺杂Bi4P2O11发光材料的前驱体原料；
其中，Bi2O3、Sm2O3和Dy2O3摩尔数的总和与NH4H2PO4的摩尔数相同，Sm2O3占Bi2O3、Sm2O3和Dy2O3摩尔数总和的摩尔百分数为0.5％～10％，Dy2O3占Bi2O3、Sm2O3和Dy2O3摩尔数总和的摩尔百分数为1％～8％；
步骤2，将步骤1得到的前驱体原料在600℃～1000℃下反应4h～10h后降至室温，得到一种稀土离子双掺杂Bi4P2O11发光材料Bi4P2O11:x％Sm3+/y％Dy3+，其中x为0.5～10，y为1～8。
2.根据权利要求1所述的一种稀土离子双掺杂Bi4P2O11发光材料的制备方法，其特征在于，还包括步骤3，将步骤2得到的发光材料Bi4P2O11:x％Sm3+/y％Dy3+进行研磨。
3.根据权利要求1所述的一种稀土离子双掺杂Bi4P2O11发光材料的制备方法，其特征在于，还包括步骤3，将步骤2得到的发光材料Bi4P2O11:x％Sm3+/y％Dy3+研磨0.5h～2h得到均匀的粉末。
4.根据权利要求1所述的一种稀土离子双掺杂Bi4P2O11发光材料的制备方法，其特征在于，步骤1中Sm2O3占Bi2O3、Sm2O3和Dy2O3摩尔数总和的摩尔百分数为0.5％、1％、2％、3％、5％、7％或10％。
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