[发明专利]一种高性能Si@SnO2有效

专利信息
申请号: 201811487645.7 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN109713257B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 岳鹿;张文惠;蒲旭清;沈超;关荣锋;徐琪;张婷婷;杨勇 申请(专利权)人: 盐城工学院
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/054
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 224051 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 si sno base sub
【权利要求书】:

1.一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法,其特征在于:通过表面改性处理先在纳米硅表面引入官能团,接着原位沉积一层均匀的SnO2层,然后通过原位聚合酚醛树脂引入均匀碳层前驱体,通过高温煅烧制备得到高性能多层核壳结构的复合材料;具体包括以下步骤:

(1)对Si纳米材料进行表面改性处理;

(2)改性后的Si纳米颗粒分散在去离子水中超声处理,然后加入硫代乙醇酸、浓盐酸、尿素分别超声处理;最后加入SnCl2,超声分散均匀;设定温度下搅拌;反应结束后抽滤,用水和乙醇轮流洗涤至干净;70℃真空干燥2h,得到Si@SnO2结构材料;

(3)按体积比将水和乙醇混合,超声搅拌均匀;然后将上述步骤得到的0.2g Si@SnO2分散于其中超声搅拌20 min;把CTAB、间苯二酚、氨水,加入上述溶液中,超声搅拌30 min;然后将之置于油浴中45 ℃搅拌30 min,加入甲醛溶液,设定温度下搅拌;抽滤后,用去离子水洗至干净,70 ℃真空干燥3 h;

(4)将步骤(3)的样品在管式炉中惰性气氛下高温煅烧制备得到高性能Si@SnO2@C复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法,其特征在于:所述的表面改性处理,包括将硅粉进行热氧化改性、化学氧化改性或表面活性剂改性。

3.根据权利要求1所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)的设定温度下搅拌,温度范围为20~60 ℃,搅拌时间为0.5~72 h。

4.根据权利要求1所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,水和乙醇的体积比为1/9~5/5;所述CTAB、间苯二酚、氨水,其物质的量浓度范围分别为0.01~0.1 M、0.008~0.064 M、0.014~0.168 M;所述甲醛溶液为间苯二酚物质的量的2~15倍;所述设定温度下搅拌,温度范围为30~60 ℃,搅拌时间为2~24 h。

5.根据权利要求1所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中的惰性气氛下高温煅烧具体条件为:在惰性气氛下500~900 ℃进行,惰性气氛为Ar、Ar/H2混合气或He。

6.根据权利要求1所述的一种高性能Si@SnO2@C复合材料的制备方法,其特征在于:所述复合材料中,硅的量为30~60%,SnO2层厚度为10~50 nm,碳层厚度为5~30 nm。

7.权利要求1所述的制备方法制备得到的高性能Si@SnO2@C复合材料。

8.权利要求7所述的高性能Si@SnO2@C复合材料在钠离子电池方面的应用。

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