[发明专利]研磨垫、研磨垫制造方法以及晶圆平坦化的方法有效
| 申请号: | 201811486141.3 | 申请日: | 2018-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN110076685B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
| 发明(设计)人: | 陈志宏;陈科维;王英郎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/26 | 分类号: | B24B37/26;B24B37/04;B24B37/10;B24B53/017 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 制造 方法 以及 平坦 | ||
1.一种研磨垫,包括:
一垫层;以及
一或多个研磨结构,在该垫层的一上表面,其中该一或多个研磨结构中的每一者具有延伸横越该垫层的该上表面的一长方形棱柱的形状且形成在该垫层的一预定位置,其中该一或多个研磨结构包括沿着该垫层的该上表面延伸的至少一连续线形区段,其中该一或多个研磨结构中的每一者为一均质材料;
其中该一或多个研磨结构的一或多个上表面高于该垫层的该上表面,其中该一或多个研磨结构的该一或多个上表面具有一第一面积,其中该垫层的该上表面具有一第二面积,其中该第一面积为该第二面积的1%至10%。
2.如权利要求1所述的研磨垫,其中在平面图中,该一或多个研磨结构为条纹形或网格形。
3.如权利要求1所述的研磨垫,其中该一或多个研磨结构以及该垫层由一热固性塑胶形成。
4.如权利要求1所述的研磨垫,其中该一或多个研磨结构中的每一者具有一长方形剖面。
5.如权利要求4所述的研磨垫,其中该长方形剖面的一宽度介于0.5毫米至5毫米之间。
6.如权利要求1所述的研磨垫,其中该一或多个研磨结构中的每一者具有一高度介于0.05毫米至1毫米之间。
7.如权利要求1所述的研磨垫,其中该一或多个研磨结构中的每一者具有一长度以及一宽度,其中该长度至少为该宽度的10倍。
8.如权利要求1所述的研磨垫,还包括在该垫层之下的一支撑层,该支撑层与该垫层的形成材料不同。
9.如权利要求8所述的研磨垫,其中该支撑层的材料较该垫层的材料柔软。
10.一种制造一研磨垫的方法,该方法包括:
接收一垫材料;以及
移除靠近该垫材料上表面的该垫材料的一第一部分,同时保持靠近该垫材料上表面的该垫材料的一第二部分,其中使用切削技术移除该第一部分,其中在移除该第一部分后,该垫材料的该第二部分形成一或多个研磨结构,该一或多个研磨结构在该垫材料上表面的预定位置具有延伸横越该垫材料上表面的长方形棱柱的形状;
其中该一或多个研磨结构的一或多个上表面高于该垫材料上表面,其中该一或多个研磨结构的该一或多个上表面具有一第一面积,其中该垫材料上表面具有一第二面积,其中该第一面积为该第二面积的1%至10%。
11.如权利要求10所述的方法,其中该垫材料的该第二部分形成至少一连续线形区段。
12.如权利要求10所述的方法,其中移除该第一部分包括使用由一电脑控制的一切削工具移除该垫材料的该第一部分。
13.如权利要求12所述的方法,还包括使用该切削工具的一第一钻头形成该一或多个研磨结构的第一图样,且用该切削工具的一第二钻头形成该一或多个研磨结构的第二图样。
14.如权利要求12所述的方法,其中该切削工具与一化学机械平坦化工具整合,且在该化学机械平坦化工具中执行移除该垫材料的该第一部分。
15.一种晶圆平坦化的方法,该方法包括:
将一晶圆保持在一固定环;
旋转一研磨垫,该研磨垫包括一垫层以及在该垫层的第一侧的一或多个研磨结构,其中该一或多个研磨结构中的每一者包括至少一连续线形区段;以及
通过将该晶圆按压至该一或多个研磨结构上,以研磨该晶圆;
其中该一或多个研磨结构的一或多个上表面高于该垫层的一上表面,其中该一或多个研磨结构的该一或多个上表面具有一第一面积,其中该垫层的该上表面具有一第二面积,其中该第一面积为该第二面积的1%至10%;
其中该一或多个研磨结构中的每一者具有延伸横越该垫层的该上表面的一长方形棱柱的形状。
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