[发明专利]声耦合谐振器陷波和带通滤波器在审
| 申请号： | 201811482273.9 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110011634A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | R·鲍德;A·博格纳;H-J·蒂默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H11/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耦合 输出节点 输入节点 带通滤波器 双谐振 接地 电感器 声耦合 谐振器 陷波 电容器 陷波滤波器 | ||
1.一种陷波滤波器，包括：
电感器，被耦合在输入节点和输出节点之间；
双谐振器结构，被耦合在所述输入节点、所述输出节点和接地之间。
2.一种可调谐陷波滤波器，包括：
电感器，被耦合在输入节点和输出节点之间；
第一谐振器结构，被耦合在所述输入节点和接地之间；以及
第二谐振器结构，被耦合在所述输出节点和接地之间。
3.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括堆叠晶体滤波器。
4.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括耦合谐振器滤波器。
5.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括薄膜体声波谐振器。
6.根据权利要求2所述的可调谐陷波滤波器，其中可调谐的所述谐振器结构中的至少一个谐振器结构包括调谐电路。
7.根据权利要求6所述的可调谐陷波滤波器，其中所述调谐电路包括耦合到电感器的变抗器。
8.一种陷波滤波器，包括：
第一双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输入节点的顶电极；
第二双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输出节点的顶电极；
第一电感器，被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间；以及
第二电感器，被耦合在所述第一双谐振器结构的所述中间电极和所述第二双谐振器结构的所述中间电极之间。
9.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构的附加中间电极和所述第二双谐振器结构的附加中间电极被耦合到接地。
10.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构的所述底电极和所述第二双谐振器结构的所述底电极被耦合在一起。
11.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括耦合谐振器滤波器。
12.根据权利要求8所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括堆叠晶体滤波器。
13.一种陷波滤波器，包括：
第一双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输入节点的顶电极；
第二双谐振器结构，具有中间电极、底电极和被耦合到输出节点的顶电极；
第一电感器，被耦合在所述输入节点和所述输出节点之间；以及
第二电感器，被耦合在所述第一双谐振器结构的所述底电极和所述第二双谐振器结构的所述底电极之间。
14.根据权利要求13所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构的附加中间电极被耦合到所述第一双谐振器结构的所述中间电极，并且所述第二双谐振器结构的附加中间电极被耦合到所述第二双谐振器结构的所述中间电极。
15.根据权利要求13所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括耦合谐振器滤波器。
16.根据权利要求13所述的陷波滤波器，其中所述第一双谐振器结构和所述第二双谐振器结构各自包括堆叠晶体滤波器。
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