[发明专利]磁阻效应器件

说明书

本发明提供一种磁阻效应器件，其包括磁阻效应元件和对上述磁阻效应元件施加磁场的磁场施加机构，上述磁场施加机构包括：具有在上述磁阻效应元件的层叠方向上向上述磁阻效应元件侧突出的凸部的第一铁磁性体、与上述第一铁磁性体一同夹着上述磁阻效应元件的第二铁磁性体、卷绕于上述第一铁磁性体的线圈，上述磁阻效应元件的第一磁化自由层具有从上述层叠方向俯视时与上述凸部的上述磁阻效应元件侧的第二面和上述第二铁磁性体的上述磁阻效应元件侧的第三面中至少一个面不重叠的部分，且上述第一磁化自由层的重心位于连结上述第二面与上述第三面的区域内。由此，能够对磁阻效应元件的磁化自由层在倾斜方向施加磁场。

技术领域

本发明涉及磁阻效应器件。

本申请基于2017年12月7日申请于日本的特愿2017-235229号及2018年8月9日申请于日本的特愿2018-150429号主张优先权，并将其内容在此引用。

背景技术

利用了磁性体所具有的自旋的元件在多种用途中使用。例如已知有由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨大磁阻(GMR)元件、非磁性层使用了绝缘层(隧道势垒层，势垒层)的隧道磁阻(TMR)元件等的磁阻效应元件。磁阻效应元件用于磁传感器、高频零件、磁头及非易失性随机存取存储器(MRAM)等。

例如，专利文献1中记载有利用了磁阻效应元件的铁磁共振现象的高频器件。对磁阻效应元件所包含的铁磁性层施加高频信号，使铁磁性层的磁化进行铁磁共振。当产生铁磁共振时，磁阻效应元件的电阻值以铁磁共振频率周期性地波动。利用该电阻值变化，专利文献1所记载的高频器件作为高频滤波器发挥作用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-063397号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

磁阻效应元件通过层叠数nm程度的非常薄的层而得到。磁阻效应元件的性能受到层叠磁阻效应元件的层叠面的影响。因此，在倾斜的层叠面上，难以层叠磁阻效应元件。也就是在磁阻效应器件的制作工艺中难以设置层叠方向为倾斜方向的工艺，难以简单地实现能够对磁阻效应元件施加倾斜方向的磁场的磁阻效应器件。

本发明是鉴于上述问题而完成的，提供一种能够对磁阻效应元件的磁化自由层在倾斜方向施加磁场的磁阻效应器件。

用于解决问题的技术方案

本申请的发明人发现：通过控制夹着磁阻效应元件的两个铁磁性体与磁阻效应元件的位置关系，可提供对磁阻效应元件的磁化自由层施加倾斜方向的磁场的磁阻效应器件。另外，还发现在利用了铁磁共振现象的高频器件中对磁阻效应元件的磁化自由层倾斜地施加磁场时，能够将频带扩展至高频侧。

即，本发明为了解决上述技术问题，提供以下技术方案。

(1)第一方式提供一种磁阻效应器件，其包括：磁阻效应元件，其具有第一磁化自由层、磁化固定层或第二磁化自由层、被夹持于上述第一磁化自由层与上述磁化固定层或第二磁化自由层之间的间隔层；和磁场施加机构，其对上述磁阻效应元件的至少上述第一磁化自由层施加磁场，上述磁场施加机构具有：第一铁磁性体；与上述第一铁磁性体一同夹着上述磁阻效应元件的第二铁磁性体；和卷绕于上述第一铁磁性体的线圈，其中，上述第一铁磁性体具有在上述磁阻效应元件的层叠方向上从第一面向上述磁阻效应元件侧突出的凸部，上述磁阻效应元件的上述第一磁化自由层具有从上述层叠方向俯视时与第二面和第三面中的至少一个面不重叠的部分，其中，上述第二面是上述凸部的上述层叠方向上的上述磁阻效应元件侧的面，上述第三面是上述第二铁磁性体的上述层叠方向上的上述磁阻效应元件侧的面，并且，上述磁阻效应元件的上述第一磁化自由层的重心位于连结上述第二面与上述第三面的区域内。

(2)上述方式的磁阻效应器件中，也可以是，上述磁阻效应元件的上述第一磁化自由层具有从上述层叠方向俯视时不与上述第二面重叠的部分。