[发明专利]一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法在审
| 申请号： | 201811476667.3 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111270300A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王永涛;尚锐刚;刘建涛;李明飞;鲁进军;张建;闫志瑞 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 区熔硅单晶 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将一次多晶按正常的区熔拉晶工艺拉制成单晶或多晶；
(2)将拉制成的单晶或多晶再次磨锥、刻槽、清洗、干燥；
(3)将处理后的单晶或多晶装炉，并按目标电阻率设置掺杂流量，并按正常气相掺杂区熔拉晶工艺完成单晶拉制。
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