[发明专利]一种片式天线及其制备方法

权利要求书

1.一种片式天线，其特征在于，包括陶瓷基座和金属线路层；其中，

所述的陶瓷基座为多层结构，包括至少一层陶瓷支撑层和至少一层界面结合层；

所述的金属线路层为一层或多层结构，其附于所述的陶瓷基座的外表面和过孔位置。

2.根据权利要求1所述的片式天线，其特征在于，所述的陶瓷支撑层的材质为氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化硅、氧化锌、氧化镧、氧化钛、碳化硅、氮化铝或硅酸铝中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的片式天线，其特征在于，所述的界面结合层包括主体材质和活性材质，所述的主体材质为氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化硅、氧化锌、氧化镧、氧化钛、碳化硅、氮化铝或硅酸铝中的一种或几种，所述的活性材质为氧化镍、氧化铜、氧化铬、氧化铁、氧化钴、钨、钼或铂中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的片式天线，其特征在于，所述的陶瓷支撑层的材质与所述的主体材质相同。

5.根据权利要求2所述的片式天线，其特征在于，所述的金属线路层的材质为钨、钼、铂、铜、银、钯、金、镍、钴、铁、铝或铬中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的片式天线，其特征在于，所述的陶瓷支撑层的厚度为100um～10mm，优选为150um～5mm。

7.根据权利要求1所述的片式天线，其特征在于，所述的界面结合层的厚度为1um～10um，优选为1um～3um。

8.根据权利要求1所述的片式天线，其特征在于，所述的金属线路层的厚度为5um～50um。

9.权利要求1～8任一项所述的片式天线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制作片式陶瓷基座

a、利用流延成型工艺制备陶瓷支撑层素坯，并对素坯进行裁切，得到陶瓷支撑层；

b、利用流延成型工艺制备界面结合层素坯，并对素坯进行裁切，得到界面结合层；

c、利用热压工艺将至少一层陶瓷支撑层素坯和至少一层界面结合层素坯进行叠层并热压，获得陶瓷基座素坯，再对陶瓷基座素坯高温烧结；

d、利用激光设备对经高温烧结的陶瓷基座表面的界面结合层进行激光雕刻，去除需要布置金属线路层区域之外的界面结合层，再进行高温活化处理，得到片式陶瓷基座；

(2)镀金属线路层

利用电镀和/或化镀工艺依次制备金属线路层，得到片式天线。

10.权利要求9所述的片式天线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的c步骤高温烧结的温度范围为750～1700℃，时间为2h～12h，环境气氛为空气。

11.权利要求9所述的片式天线的制备方法，其特征在于，步骤(1)中的d步骤高温活化处理的温度范围为500～900℃，时间为30min～4h，环境气氛为氢气、一氧化碳、氮气、氩气或氦气中的一种或几种。