[发明专利]微型半导体元件结构

权利要求书

1.一种微型半导体元件结构，包括：

基板；

至少一支撑层，设置于所述基板的上表面，其中所述支撑层由至少一个上部分及下部分所构成，其中所述上部分沿第一方向延伸，且所述上部分在第一方向的长度L1是大于所述下部分在第一方向的长度L2；以及

至少一微型半导体元件，所述微型半导体元件具有第一电极及第二电极，其中所述第一电极及所述第二电极同时设置于所述微型半导体元件的下表面、或者所述第一电极设置于所述微型半导体元件的所述下表面而所述第二电极设置于所述微型半导体元件的上表面，且所述微型半导体元件的所述下表面与所述支撑层的所述上部分接触，其中所述第一电极具有厚度T1、所述第二电极具有厚度T2、而所述支撑层的上部分具有厚度T3、以及所述支撑层的下部分具有厚度T4，而支撑层的上部分及下部分的厚度总合(T3+T4)大于所述第一电极的厚度T1。

2.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述下部分在所述第一方向的长度L2与所述上部分在所述第一方向的长度L1的比值(L2/L1)大于或等于0.05且小于或等于0.5。

3.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述微型半导体元件的下表面与所述支撑层的上部分接触的区域定义为第一区域，且所述第一区域的面积A1与所述微型半导体元件的下表面的面积A2的比值(A1/A2)大于或等于0.05且小于或等于0.5。

4.根据权利要求3所述的微型半导体元件结构，其中所述第一区域在所述第一方向具有长度L3、而所述第一区域与所述支撑层的下部分在所述第一方向具有最小距离D1，其中所述长度L3与所述长度L3和所述最小距离D1的总合(L3+D1)的比值(L3/(L3+D1))大于或等于0.2且小于或等于0.8。

5.根据权利要求4所述的微型半导体元件结构，其中所述长度L3小于或等于5μm，且所述最小距离D1小于或等于25μm。

6.根据权利要求3所述的微型半导体元件结构，其中所述微型半导体元件的下表面设置有至少两个所述第一区域，其中所述至少两个第一区域彼此不接触。

7.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述支撑层包含至少两个上部分设置于所述下部分之上，且所述至少两个上部分彼此不接触。

8.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述第一电极的厚度T1大于所述支撑层的上部分的厚度T3。

9.根据权利要求8所述的微型半导体元件结构，其中当所述第二电极设置于所述微型半导体元件的下表面时，所述第二电极的厚度T2大于所述支撑层的上部分的厚度T3。

10.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中当所述第二电极设置于所述微型半导体元件的下表面时，其中所述支撑层的上部分及下部分的厚度总合(T3+T4)大于所述第二电极的厚度T2。

11.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述支撑层的上部分由第一材质所构成，而所述支撑层的下部分由第二材质所构成，其中所述第一材质相异于所述第二材质，且所述第一材质的杨氏模量小于所述第二材质的杨氏模量。

12.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述微型半导体元件的下表面对所述基板的正投影不与所述支撑层的下部分对所述基板的正投影重叠。

13.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述第一电极及所述第二电极不与所述支撑层直接接触。

14.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，其中所述微型半导体元件具有连接所述上表面与所述下表面的周围表面，其中所述支撑层不与所述微型半导体元件的上表面或周围表面直接接触。

15.根据权利要求1所述的微型半导体元件结构，当所述第一电极及所述第二电极同时设置于所述微型半导体元件的下表面时，其中所述微型半导体元件的下表面具有区域位于所述第一电极及所述第二电极之间，且所述支撑层不与所述区域直接接触。