[发明专利]集成化超分辨激光直写装置及直写方法有效
申请号: | 201811473633.9 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109491214B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 曾爱军;刘铁诚;胡敬佩;朱玲琳;黄惠杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 张宁展<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤耦合器 二向色镜 透镜 激光直写装置 连续激光器 超分辨 集成化 直写 光子晶体光纤 自动聚焦模块 系统集成化 单模光纤 分叉光纤 关键器件 激光直写 控制系统 纳米位移 直写装置 光纤化 透镜组 原有的 渐变 光路 光纤 自由 应用 | ||
1.一种集成化超分辨激光直写装置,其特征在于,包括连续激光器(1)、第一光纤耦合器(2)、单模光纤(3)、第二连续激光器(4)、第二光纤耦合器(5)、第一环形光子晶体光纤(6)、分叉光纤(7)、透镜组(8)、第一二向色镜(9)、LED光源(10)、透镜(11)、第二二向色镜(12)、自动聚焦模块(13)、第三二向色镜(14)、第三光纤耦合器(15)、平方率渐变光纤(16)、供样品放置的纳米位移台(17)、第二透镜(18)、CMOS相机(19)和控制系统(20);
所述的连续激光器(1)输出的激光经第一光纤耦合器(2)输入单模光纤(3),作为中心诱导光;第二连续激光器(4)输出的激光经第二光纤耦合器(5)输入第一环形光子晶体光纤(6),作为外围涡旋抑制光;所述的外围涡旋抑制光与中心诱导光经分叉光纤(7)合束后经所述的透镜组(8)扩束入射到所述的第一二向色镜(9),经该第一二向色镜(9)反射后,依次经过第二二向色镜(12)、第三二向色镜(14)透射后入射到所述的第三光纤耦合器(15),依次经第三光纤耦合器(15)和平方率渐变光纤(16)后,照射在样品上;
所述的LED光源(10)发出的光束经透镜(11)扩束后入射到所述的第二二向色镜(12),经该第二二向色镜(12)反射后,依次经第三二向色镜(14)和第三光纤耦合器(15)后射入平方率渐变光纤(16)后,照射在样品上,经样品反射后沿原光路返回,依次经所述的平方率渐变光纤(16)、第三光纤耦合器(15)和第三二向色镜(14)后,入射到所述的第二二向色镜(12),依次经第二二向色镜(12)和第一二向色镜(9)透射后,入射到所述的第二透镜(18),经该第二透镜(18)聚焦后射入CMOS相机(19),经该CMOS相机(19)成像;
所述的自动聚焦模块(13)发出的偏心光束,经第三二向色镜(14)反射后,通过第三光纤耦合器(15)进入平方率渐变光纤(16),照射在样品上,经样品反射后沿原光路返回,依次经所述的平方率渐变光纤(16)和第三光纤耦合器(15)入射到第三二向色镜(14)后,依次经第三二向色镜(14)、第二二向色镜(12)和第一二向色镜(9)透射后,入射到所述的第二透镜(18),经该第二透镜(18)聚焦后射入CMOS相机(19),经该CMOS相机(19)成像;
所述的控制系统(20)分别与所述的连续激光器(1)、第二连续激光器(4)、LED光源(10)、自动聚焦模块(13)和纳米位移台(17)的控制端相连,所述的控制系统(20)与CMOS相机(19)的输出端相连。
2.根据权利要求1所述的集成化超分辨激光直写装置,其特征在于,控制系统(20)由计算机(201)和FPGA(202)组成。
3.根据权利要求1或2所述的集成化超分辨激光直写装置,其特征在于,所述的透镜组(8)由一对正负透镜组成,对光束进行扩束。
4.根据权利要求1或2所述的集成化超分辨激光直写装置,其特征在于,所述的样品由上至下依次由光刻胶材料和基底组成。
5.根据权利要求4所述的集成化超分辨激光直写装置,其特征在于,所述的光刻胶材料为光致聚合材料以及相应的光引发剂和抑制剂。
6.根据权利要求5所述的集成化超分辨激光直写装置,其特征在于,所述的光致聚合材料为季戊四醇五丙烯酸酯、双季戊四醇五丙烯酸酯或三乙二醇二甲基丙烯酸酯,所述的光引发剂为米氏酮、樟脑醌或4-二甲基氨基苯甲酸乙酯,所述的抑制剂为二硫化四乙基秋兰姆。
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