[发明专利]形成用于进行间隔物界定图案化的竖直间隔物的方法

权利要求书

1.一种形成用于进行间隔物界定图案化的间隔物的方法，所述方法在包含以下的步骤中进行：(i)将图案转移膜沉积在模板上，所述模板具有由在下方层上形成的心轴图案化的表面；(ii)对整个上表面覆盖有所述图案转移膜的所述模板进行干式蚀刻，并且由此选择性地去除在所述心轴的顶部上形成的所述图案转移膜的顶部部分和在所述下方层上形成的所述图案转移膜的水平部分，同时留下所述心轴作为芯材料并且留下在所述心轴的侧壁上形成的所述图案转移膜的侧壁部分作为间隔物；以及(iii)对所述芯材料进行干式蚀刻，从而形成空白空间，所述模板由此具有由所述间隔物在所述下方层上图案化的表面，所述间隔物以第一倾斜角度朝向所述空白空间向内倾斜，所述第一倾斜角度被定义为如相对于竖直于所述空白空间的底部的线所测量的，每一侧壁部分的内表面的角度，其中倾斜角度为零表示完全竖直并且倾斜角度为正值表示向内倾斜，

其中所述改进包含：

在步骤(i)中，使在深度方向上具有不同膜应力的共形图案转移膜沉积作为所述图案转移膜，其中所述共形图案转移膜的下半部具有第一膜应力，并且所述共形图案转移膜的上半部具有第二膜应力，其中所述第一膜应力比所述第二膜应力更加压缩，由此在步骤(iii)中，所述间隔物以小于所述第一倾斜角度的第二倾斜角度朝向所述空白空间向内倾斜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述共形图案转移膜由多个层构成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二倾斜角度处于大约-1°到大约1°的范围内。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个层通过等离子体增强型原子层沉积(plasma-enhanced atomic layer deposition，PEALD)来加以沉积。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个层由第一层和沉积于所述第一层上的第二层构成，其中所述第一层的膜应力比所述第二层的膜应力更加压缩，并且所述第一层的厚度为所述第一层和所述第二层的总厚度的25％到75％。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个层由第一层和沉积于所述第一层上的第二层构成，其中所述第一层的膜应力比所述第二层的膜应力更加压缩，并且所述第一层的厚度等于或大于所述第二层的厚度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一层的膜应力与所述第二层的膜应力之间的差异在大约150MPa与大约800MPa之间。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一层和所述第二层独立地由氧化硅或氮化硅构成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一层由氮化硅构成并且所述第二层是氧化硅。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一层和所述第二层由氧化硅构成。

11.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一层和所述第二层由不同组合物构成。

12.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一层的抗干式蚀刻性比所述第二层更小。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述第一层与所述第二层之间的抗干式蚀刻性差异使得在步骤(ii)中，每一间隔物的顶部通过抑制干式蚀刻对所述间隔物的肩部损失而变得基本上平坦。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述共形图案转移膜具有在深度方向上变化的膜应力，其中所述膜应力在向外方向上逐渐地增加。