[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201811473015.4 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109616587B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 田宏伟;牛亚男;谢春燕;王纯阳;李栋;刘政;刘明 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 刘悦晗;姜春咸
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制造 方法 显示装置
【说明书】:

发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置。该方法包括:在衬底基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极;在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及第二电极上的去除区域,所述去除区域位于所述开孔的下方。本发明中在保护层的保护下仅开孔下方的第二电极被去除,避免了开孔下方的去除区域周边的第二电极受到损伤,当开孔对应于摄像头区域时避免了摄像头区域周边的第二电极受到损伤,从而降低了显示装置的显示不良。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示装置中,柔性显示装置正在呈现越来越重要的地位。同时,全面屏的概念被提出之后,一直处于不断改进和实现的过程中。在此过程中,摄像头区域是一个实现全面屏非常难以绕过的区域。

其中,摄像头区域对应的阴极膜层(Cathode)在光路中对于光的穿透率有较大的影响,一般而言需要将摄像头区域对应的阴极膜层去除。现有的工艺中,直接在薄膜封装(Thin Film Encapsulation,简称TFE)工艺后,采用掩膜板(Mask)保护下等离子体蚀刻的方式对于阴极膜层相应的区域进行处理,由于掩膜板(Mask)的曝光间距(Gap)有限,且受等离子体扩散的影响,摄像头区域对应的阴极膜层周边的非需要蚀刻区域的膜层也易受到损伤,进而导致整个显示装置的显示不良。

发明内容

本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置,用于降低显示装置的显示不良。

为实现上述目的,本发明提供了一种显示基板的制造方法,包括:

在衬底基板上依次形成第一电极、发光层和第二电极;

在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域,所述去除区域位于所述开孔的下方。

可选地,所述第二电极为阴极。

可选地,所述在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域,所述去除区域位于所述开孔的下方包括:

在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层;

在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域,其中,所述开孔和所述去除区域通过金属掩膜板紧密贴附所述保护层而形成。

可选地,所述金属掩膜板包括第二金属掩膜板;所述在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域包括:

通过第二金属掩膜板对所述保护层的第一区域和所述第二电极的与第一区域对应的第二区域进行等离子体处理或者化学腐蚀处理,在所述保护层上形成所述开孔以及在所述第二电极上形成所述去除区域,所述第二金属掩膜板上形成有开孔区域,所述开孔区域用于形成所述开孔和所述去除区域。

可选地,所述在第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成保护层、保护层上的开孔以及所述第二电极上的去除区域,所述去除区域位于所述开孔的下方包括:

在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔,其中,所述开孔通过金属掩膜板紧密贴附所述第二电极而形成;

去除所述开孔下方的第二电极以在第二电极上形成所述去除区域。

可选地,所述金属掩膜板包括第三金属掩膜板;所述在第二电极的远离衬底基板的一侧形成保护层和位于保护层上的开孔包括:

通过第三金属掩膜板并采用化学气相沉积工艺在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层和位于所述保护层上的所述开孔,所述第三金属掩膜板上形成有阻挡结构,所述阻挡结构用于形成所述开孔。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811473015.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top