[发明专利]器件芯片的制造方法和拾取装置在审
| 申请号: | 201811472547.6 | 申请日: | 2018-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN110034065A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
| 发明(设计)人: | 松崎荣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被加工物 器件芯片 片材 吸附 多个器件 拾取装置 工作台 探头 制造 搬出 绝缘体 剥离 芯片 电极施加电压 导电性 施加电压 接触片 静电力 粘接带 分割 载置 加工 | ||
提供器件芯片的制造方法和拾取装置,不使用以往的粘接带对被加工物进行加工而能够制造出多个器件芯片。该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:载置步骤,将被加工物隔着由绝缘体构成的片材载置于工作台上;吸附步骤,对工作台的一对电极施加电压而利用静电力使片材吸附于被加工物;搬出步骤,将吸附着片材的状态的被加工物从工作台搬出;分割步骤,对吸附着片材的状态的被加工物进行加工而将被加工物分割成与器件相对应的多个器件芯片;以及剥离步骤,使导电性的探头接触片材的与器件芯片相对应的区域并对探头施加电压,并解除片材对器件芯片的吸附,从而将器件芯片从片材剥离。
技术领域
本发明涉及对半导体晶片等进行加工而制造出多个器件芯片的器件芯片的制造方法以及用于该器件芯片的制造方法的拾取装置。
背景技术
在对以半导体晶片或封装基板为代表的板状的被加工物进行加工而分割成多个芯片时,例如使用安装有环状的切削刀具的切削装置或具有激光振荡器的激光加工装置等加工装置。一边使旋转的切削刀具切入至被加工物或者对被加工物照射激光束,一边使该被加工物移动,从而能够沿着移动的路径对被加工物进行加工而分割成多个器件芯片(例如,参照专利文献1)。
在利用上述那样的加工装置对被加工物进行加工之前,通常在被加工物上粘贴直径大于被加工物的粘接带(划片带),并且在该粘接带的外周部分固定环状的框架。由此,能够对被加工物进行保护而免受加工或搬送等时所施加的冲击。另外,对被加工物进行分割而得到的多个器件芯片不会分散,因此能够轻易对这些多个器件芯片进行搬送(例如,参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2012-84720号公报
专利文献2:日本特开平9-27543号公报
但是,在粘贴于被加工物的粘接带中使用有粘接剂,该粘接剂具有在加工时使被加工物的位置不偏移的程度的强粘接力。因此,例如有时在对被加工物进行分割而得到多个芯片之后,即使想要将该芯片从粘接带剥离也无法容易地剥离。另外,该粘接带无法再利用,因此相对于器件芯片的制造所需的总成本,未必能够将粘接带的成本抑制得充分低。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供不使用以往的粘接带而对被加工物进行加工从而能够制造出多个器件芯片的器件芯片的制造方法以及用于该器件芯片的制造方法的拾取装置。
根据本发明的一个方式,提供器件芯片的制造方法,对包含基板和多个器件的被加工物进行分割而制造出多个器件芯片,所述基板由绝缘体或半导体构成,具有由格子状的分割预定线划分成多个区域的正面,所述多个器件分别设置于该基板的该多个区域,其中,该器件芯片的制造方法包含如下的步骤:载置步骤,将该被加工物隔着由绝缘体构成的片材载置在具有保持面的工作台上,其中,在所述保持面上沿面方向隔开间隔地设置有一对电极;吸附步骤,在实施了该载置步骤之后,对该工作台的该一对电极施加电压而使该片材和该被加工物分别发生极化,利用静电力使该片材吸附于该被加工物;搬出步骤,在实施了该吸附步骤之后,将吸附着该片材的状态的该被加工物从该工作台搬出;分割步骤,在实施了该搬出步骤之后,对吸附着该片材的状态的该被加工物进行加工,将该被加工物分割成与该器件相对应的多个器件芯片;以及剥离步骤,在实施了该分割步骤之后,使导电性的探头接触该片材的与该器件芯片相对应的区域而对该探头施加电压,解除该片材对该器件芯片的吸附,从而将该器件芯片从该片材剥离,在该载置步骤中,将该被加工物的与各器件相对应的区域配置在该保持面的该一对电极所共同存在的区域。
在本发明的一个方式中,优选在该剥离步骤中,在对该探头施加正负中的一方的电压而使该片材和该器件芯片的极化的状态发生变化之后,对该探头施加正负中的另一方的电压而使该片材的极化的状态反转,从而解除该片材对该器件芯片的吸附。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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