[发明专利]柔性基板及采用该柔性基板的显示面板有效
| 申请号: | 201811472439.9 | 申请日: | 2018-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN109686757B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
| 发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 采用 显示 面板 | ||
本发明提供一种柔性基板及采用该柔性基板的显示面板。本发明的优点在于,将焊盘线分为多组,每一焊盘线组与一个弯折区连接,即将多个焊盘线分散设置在多个彼此独立的弯折区上,从而避免现有技术中提及的所有焊盘线在下边框处向中间区域汇聚成一段整体走线的情况出现,大大减小了显示面板的边框的宽度,显著提高屏占比。
技术领域
本发明涉及显示装置领域,尤其涉及一种柔性基板及采用该柔性基板的显示面板。
背景技术
目前全屏化手机普及程度越来越高,高屏占比的屏幕越来越受欢迎。所谓屏占比就是屏幕面积与整机面积的比例,较高的屏占比能够给用户带来更好的视觉体验。全面显示屏由于具有高屏占比,显示效果好,因此全面显示屏显示受到消费者越来越多的喜爱,成为了手机等电子设备未来发展的必然趋势。
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示面板是一种应用较为广泛的显示面板。下面以AMOLED显示面板为例来描述本发明的背景技术,当然,本发明的背景技术并不仅限于此。图1是现有的柔性AMOLED显示面板的结构示意图。请参阅图1,所述AMOLED显示面板包括显示区A和非显示区B,所述非显示区B构成所述显示区A的边框,例如,在所述显示区A下方,所述非显示区B形成一下边框。通常焊盘线(Fanout走线)10被设置在非显示区B中,例如,焊盘线10被设置在所述下边框内。焊盘线10通常形成在所述AMOLED显示面板的电源线、扫描线和数据线11的端部。电源线、扫描线和数据线11通过焊盘线10连接至驱动电路单元13,其中,所述电源线包括但不限于VDD(电源电压信号)信号线12及VSS(恒压低电平源信号)信号线14。
所述焊盘线10位于非显示区B内,即位于所述AMOLED显示面板边框内,则所述焊盘线10占据的区域越大,所述AMOLED显示面板的边框越大。随着所述AMOLED显示面板边框区域的增大,屏占比减小,相应的,在手机整机尺寸一定的情况下,可以显示的区域面积减小。
目前柔性AMOLED显示面板通常采用弯折(Pad-Bending)工艺,将位于非显示区B的焊盘线10所在的区域弯折至AMOLED显示面板的背面,在所述柔性AMOLED显示面板的背面,所述焊盘线10连接至驱动电路单元13,从而减小显示屏边框的大小。
目前柔性AMOLED显示面板的弯折工艺为一段式弯折(Pad-Bending),焊盘线10在手机下边框处向中间区域汇聚成一段整体走线,然后整体弯折至柔性AMOLED显示面板背面,这虽然能够减小所述柔性AMOLED显示面板的边框的宽度,但是,还不能满足目前的需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种柔性基板及采用该柔性基板的显示面板,其能够减少显示面板的边框宽度,提高屏占比。
为了解决上述问题,本发明提供了一种柔性基板,其包括:一显示区;多个彼此独立的弯折区,设置在所述显示区的边缘,且所述弯折区能够弯折至所述柔性基板的一背面;以及多个焊盘线组,一个所述焊盘线组设置在一个所述弯折区,每一所述焊盘线组的一端与所述显示区的功能层走线连接,另一端与一驱动电路单元连接。
在一实施例中,所述柔性基板包括一第一弯折区、一第二弯折区及一第三弯折区,所述第一弯折区、所述第二弯折区及所述第三弯折区设置在所述显示区的一第一边缘,所述第一弯折区与所述第三弯折区分别设置在所述第二弯折区的两侧,所述第一弯折区与所述第二弯折区具有一锐角夹角,所述第三弯折区与所述第二弯折区具有一锐角夹角。
在一实施例中,所述第一弯折区与所述第三弯折区以所述第二弯折区为对称轴对称设置。
在一实施例中,所述显示区的所述第一边缘具有对称设置的两个角落区及设置在所述的两个角落区之间的中间区,所述第一弯折区及所述第三弯折区分别设置在所述角落区,所述第二弯折区设置在所述中间区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





