[发明专利]半极性氮化镓单量子阱层发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811472354.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109390443A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单量子阱 发光器件 半极性 氮化镓 激活层 逐渐增大 制造 | ||
1.一种半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其包括：
N型氮化镓层；
P型氮化镓层；以及
单量子阱激活层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1-x-y，其中沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向，所述单量子阱激活层单量子阱材料为InxGayN1-x-y中的x逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述x值沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向逐渐从0.1增大到0.2之间。
3.根据权利要求1或2所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述单量子阱的厚度为
4.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，还包括：
第一静电保护层，位于N型氮化镓层与激活层之间；以及
第二静电保护层，位于激活层与P型氮化镓层之间。
5.根据权利要求4所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层。
6.根据权利要求4所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为低掺杂浓度的GaN层或InGaN层。
7.根据权利要求5或6所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为
8.根据权利要求1所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述半极性面为(20
9.一种形成半极性氮化镓单量子阱层发光器件的方法，包括：
在反应腔内在无掺杂的氮化镓缓冲层上形成N型氮化镓层；
通过以匀速增加的流向反应腔内的In源的流速，以每秒钟的沉积速度在N型氮化镓层上形成InxGayN1-x-y式的半导体材料的单量子阱激活层，使得所述单量子阱激活层的单量子阱材料InxGayN1-x-y中的x随着厚度的增加而逐渐从0.1增加到0.2，并且所诉单量子阱层的厚度为以及
在所述单量子阱激活层上形成P型氮化镓层。
10.根据权利要求9所述的形成半极性氮化镓单量子阱层发光器件的方法，其中所述单量子阱的厚度为
11.根据权利要求9所述的形成半极性氮化镓单量子阱层发光器件的方法，还包括：
在N型氮化镓层和单量子阱激活层之间形成第一静电保护层；以及
在P型氮化镓层和单量子阱激活层之间形成第二静电保护层。
12.根据权利要求11所述形成半极性氮化镓单量子阱层发光器件的方法，其中，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层。
13.根据权利要求11所述的半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为低掺杂浓度的GaN层或InGaN层。
14.根据权利要求11所述形成半极性氮化镓单量子阱层发光器件的方法，其中，所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为
15.根据权利要求9所述形成半极性氮化镓单量子阱层发光器件的方法，其中，所述半极性面为(20
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