[发明专利]半极性氮化镓半导体构件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811472351.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109378374A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈辰;宋杰;崔周源 | 申请（专利权）人： | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人： | 黄剑飞 |
| 地址： | 710003 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化镓半导体 半极性 源层 静电保护层 量子阱层 制造 | ||
1.一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：
N型氮化镓层；
P型氮化镓层；
有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多三个量子阱层；以及
第一静电保护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及
第二静电保护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
2.根据权利要求1所述的半极性氮化镓半导体构件，其中所述有源层为单量子阱层。
3.根据权利要求2所述的半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层。
4.根据权利要求2所述的半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为低掺杂浓度的GaN层或InGaN层。
5.根据权利要求4所述的半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一静电保护层的N型掺杂浓度小于1×1018/cm3，而所述第二静电保护层P型掺杂浓度小于5×1018/cm3。
6.根据权利要求1-5之一所述的半极性氮化镓半导体构件，其中所述所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为
7.一种形成半极性氮化镓半导体构件的方法，包括：
在无掺杂的氮化镓缓冲层上形成N型氮化镓层；
在N型氮化镓层上形成第一静电保护层；
在第一静电保护层形成有源层，其包括最多三个量子阱层；
在有源层的阻挡层上形成第二静电保护层；以及
在第二静电保护层上形成P型氮化镓层。
8.根据权利要求7所述的形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中，所述所述第一静电保护层和第二静电保护层厚度为
9.根据权利要求8所述的形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中，其中所述第一静电保护层和第二静电保护层为无掺杂的GaN层或InGaN层。
10.根据权利要求8所述的形成半极性氮化镓半导体构件的方法，其中，所述第一静电保护层为N型掺杂浓度小于1×1018/cm3的GaN层或InGaN层，而所述第二静电保护层为P型掺杂浓度小于5×1018/cm3GaN层或InGaN层。
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