[发明专利]存储器系统及其操作方法在审
申请号: | 201811470074.6 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN110032333A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 裵德镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器芯片 存储器系统 第二存储器 控制器 存储 数据编程 芯片 重要性信息 编程数据 主机接收 配置 | ||
一种存储器系统包括多个存储器芯片和控制器,该多个存储器芯片包括第一存储器芯片和第二存储器芯片。控制器包括处理从主机接收的请求的第一中央处理单元(CPU)和通过多个通道分别控制多个存储器芯片的操作的多个第二CPU。控制器中存储重要性表,并且重要性表包括关于存储在存储器系统中的数据的数据编程方法的信息,该关于数据编程方法的信息与数据的重要性信息相对应。第二CPU被配置为基于重要性表在第一存储器芯片和第二存储器芯片两者中编程数据中的至少一些,使得数据中的至少一些被存储在第一存储器芯片和第二存储器芯片两者中作为相同的数据。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年11月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请NO.10-2017-0161842的权益,其公开通过引用整体被并入本文。
技术领域
本发明构思涉及存储器系统,并且更具体地,涉及能够将相同的数据复制并存储在多个存储器芯片中的存储器系统以及存储器系统的操作方法。
背景技术
存储器设备被分类为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。易失性存储器设备包括,例如,动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)和静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)。非易失性存储器设备包括,例如,闪速存储器、电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory,EEPROM)和电阻存储器。
在半导体存储设备当中,非易失性存储设备(例如,闪速存储器设备)被设计成具有多平面结构以增加其存储容量。多平面非易失性存储器设备包括多个平面,每个平面包括多个存储器块。
主机可以向存储器系统发送编程、读取和擦除请求。存储器系统响应于从主机接收的编程、读取和擦除请求而执行编程、读取和擦除操作,并且由存储器系统执行编程、读取和擦除操作所用的时间彼此不同。
发明内容
本发明构思提供了一种存储器系统以及存储器系统的操作方法,该存储器系统能够通过在多个存储器芯片中复制和编程相同的数据并从多个存储器芯片中的一个读取数据来提高数据读取操作速度。
根据本发明构思的一方面,提供了一种存储器系统,其包括:包括第一存储器芯片和第二存储器芯片的多个存储器芯片,和访问多个存储器芯片的控制器。控制器包括被配置为处理从主机接收的请求的第一中央处理单元(Central Processing Unit,CPU)和被配置为通过多个通道分别控制多个存储器芯片的操作的多个第二CPU。在控制器中存储重要性表,并且重要性表包括关于用于存储在存储器系统中的数据的数据编程方法的信息,并且所述关于数据编程方法的信息与数据的重要性信息相对应。第二CPU被配置为基于重要性表编程第一存储器芯片和第二存储器芯片中的数据的至少一些,使得数据中的至少一些作为相同的数据被存储在第一存储器芯片和第二存储器芯片两者中。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种包括第一存储器芯片和第二存储器芯片的存储器系统的操作方法。该操作方法包括:响应于对第一数据的编程请求,在第一存储器芯片和第二存储器芯片两者中编程第一数据,使得第一数据作为相同的数据被存储在第一存储器芯片和第二存储器芯片两者中;响应于对第一数据的读取请求,确定第一存储器芯片和第二存储器芯片是否正在对与第一数据不同的数据执行操作,并在确定第一存储器芯片和第二存储器芯片中的另一个正在对与第一数据不同的数据执行操作时,从第一存储器芯片和第二存储器芯片中的一个读取第一数据。
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