[发明专利]一种Si3

权利要求书

1.一种Si₃N₄/SiC复相陶瓷材料，其特征在于，所述Si₃N₄/SiC复相陶瓷材料是以Si₃N₄和SiC作为原料粉体，以Tm₂O₃和MgO作为烧结助剂，在氮气气氛下、在20MPa～60MPa、升温至1700～1800℃下热压烧结120～240分钟制备得到；SiC的粒径为0.3nm～0.8μm；

以原料粉体和烧结助剂总质量计为100wt%，所述SiC的含量为1～5wt%，所述烧结助剂的含量为6.94wt%，余量为Si₃N₄；所述烧结助剂中Tm₂O₃和MgO的摩尔比为2:5；

所述Si₃N₄/SiC复相陶瓷材料的热导率为53.4～72.8 W/(m·K) ，抗弯强度为572.4～825.6 MPa，断裂韧性为6.1～8.54 MPa·m^1/2，维氏硬度为15.3～18.7 GPa。

2.一种如权利要求1所述的Si₃N₄/SiC复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：

选用Si₃N₄粉体，SiC粉体，Tm₂O₃粉体和MgO粉体作为初始原料，经混合和压制成型后，得到素坯；

将所得素坯置于氮气气氛中，在20MPa～60MPa、1700～1800℃下热压烧结120～240分钟，得到所述Si₃N₄/SiC复相陶瓷材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Si₃N₄粉体为α-Si₃N₄粉体。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述混合的方式为球磨混合；所述球磨混合包括：将初始原料配成固含量为50wt%的浆料，以Si₃N₄球为研磨介质，球磨转速为200～400rpm，球磨方式为顺时针、逆时针交替各旋转半小时，总球磨时间为3～6小时。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在球磨混合之后，再经烘干，研磨，过筛，所述过筛目数为100～400目。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述压制成型的方式为干压成型，所述干压成型的压力为5MPa～20MPa。