[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器结构，包括：

一基底；

一栅极结构，设置于该基底中；

一源极区与一漏极区，分别设置于该基底中的该栅极结构的两侧；

一接触垫，设置于该漏极区的上方；

多个纳米碳管，设置于该接触垫的上方；

一顶部电极，设置于该多个纳米碳管的上方；以及

一介电层，设置于该顶部电极与该多个纳米碳管之间，

该顶部电极填充所述多个纳米碳管之间的空间。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，还包括一介电结构，设置于该基底的上方。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，还包括设置于该介电结构中的一接触插塞，该接触插塞电连接该漏极区及该接触垫。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，还包括设置于该源极区的上方的一位元线结构，其中该介电结构覆盖该位元线结构。

5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中该多个纳米碳管的一延伸方向实质上垂直于该基底的一表面。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中该多个纳米碳管具有不同的宽度。

7.一种动态随机存取存储器结构的制备方法，包括：

提供一基底，该基底包括至少一主动区；至少一栅极结构，设置于该主动区中；一源极区与一漏极区，设置于该栅极结构两侧的该主动区中；

形成一导电层于该基底的上方；

形成多个纳米碳管于该导电层的上方；

图案化该导电层；以及

共形地形成一介电层以覆盖该多个纳米碳管及该导电层，

设置一顶部电极于该多个纳米碳管的上方，并且该顶部电极填充所述多个纳米碳管之间的空间。

8.如权利要求7所述的制备方法，其中在形成该多个纳米碳管之前，图案化该导电层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其中该介电层覆盖该多个纳米碳管中的每一个的一顶表面及一侧壁、该导电层的一顶表面的一部分以及该导电层的一侧壁。

10.如权利要求7所述的制备方法，其中在形成该多个纳米碳管之后，图案化该导电层。

11.如权利要求9所述的制备方法，其中图案化该导电层还包括移除该多个纳米碳管中的若干个。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中在形成该介电层之前，图案化该导电层。

13.如权利要求12所述的制备方法，其中该介电层覆盖该多个纳米碳管中的每一个的一顶表面及一侧壁、该导电层的一顶表面的一部分以及该导电层的一侧壁。

14.如权利要求7所述的制备方法，还包括形成一电极于该介电层的上方。

15.如权利要求7所述的制备方法，还包括形成一介电结构于该基底的上方。

16.如权利要求15所述的制备方法，还包括形成一接触插塞于该介电结构中，该接触插塞电连接该漏极区及该导电层。

17.如权利要求15所述的制备方法，还包括在形成该介电结构之前，形成一位元线结构于该源极区的上方。

18.如权利要求7所述的制备方法，该多个纳米碳管的一延伸方向垂直于该基底的一表面。