[发明专利]一种工程中超声波检测零部件系统在审

专利信息
申请号: 201811466671.1 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN111257428A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 万艳艳;李园园 申请(专利权)人: 西安智盛锐芯半导体科技有限公司
主分类号: G01N29/07 分类号: G01N29/07;G01N29/11;G01N29/04;G01N29/22;G01N29/44
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 李斌
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 工程 超声波 检测 零部件 系统
【权利要求书】:

1.一种工程中超声波检测零部件系统,其特征在于,包括中央处理器、电源、超声波检测传感器,所述中央处理器与开关电源保护电路、缺陷报警电路、信号处理电路、示波器连接,所述信号处理电路还与所述超声波检测传感器连接,所述开关电源保护电路还与所述超声波检测传感器、所述电源、所述缺陷报警电路连接,其中,所述信号处理电路包括信号滤波电路与信号增益放大电路。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述超声波检测传感器型号为HC-SR04。

3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述信号滤波电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、晶体管T1、晶体管T2、电容C1、电容C2、电容C3、二极管D1,其中,所述电阻R1一端与所述超声波检测传感器输出端、所述晶体管T1第二端连接,所述电阻R1另一端与所述电容C1一端、所述晶体管T1第一端连接,所述晶体管T1第三端与所述电阻R2一端连接,所述电阻R2另一端与所述电阻R3一端、所述晶体管T2第二端连接,所述电阻R3另一端与所述晶体管T2第一端、所述电容C2一端、所述二极管D1负极连接,所述晶体管T2第三端与所述电阻R4一端、所述电容C3一端连接,所述电阻R4另一端与所述信号增益放大电路输入端连接,所述电容C1另一端、所述电容C2另一端、电容C3另一端、二极管D1正极均接地。

4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于,所述电阻R1为可变电阻。

5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述信号增益放大电路包括放电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电容C4、晶体管Q1、晶体管Q2、二极管D2,所述电阻R5一端、所述电阻R6一端均于电源VDD连接,所述电阻R5另一端与所述晶体管Q1第一端连接,所述电阻R6另一端与所述晶体管Q1第二端、电阻R7一端、电阻R8一端、二极管D2负极连接,所述晶体管Q1第三端与所述晶体管Q2第二端,所述晶体管Q2第一端与所述信号滤波电路输出端连接,所述电阻R7另一端与电源VDD连接,所述二极管D2正极与所述电容C4一端连接,所述电阻R8另一端与所述中央处理器连接,所述晶体管Q2第三端、所述电容C4另一端均接地。

6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述缺陷报警电路包括峰值检测器、比较器A、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电容C5、电容C6、晶体管Q3、晶体管T3、报警喇叭,其中,所述峰值检测器的输入端与所述中央处理器连接,所述峰值检测器的输出端与所述比较器A正相输入端连接,所述比较器A反相输入端与基准比较信号AREF连接,所述比较器A输出端与所述电容C5一端连接,所述电容C5另一端与所述电阻R9一端、所述晶体管Q3的第一端、所述电阻R10一端连接,所述电阻R9另一端、所述电阻R11一端均于电源VDD连接,所述电阻R11另一端与所述晶体管Q3的第三端、所述晶体管T3的第一端连接,所述晶体管T3的第二端与所述电阻R12一端连接,所述电阻R10另一端、所述晶体管Q3的第二端、所述电阻R12另一端均接地,所述晶体管T3的第三端与所述电阻R13一端连接,所述电阻R13另一端与所述报警喇叭输入端、所述电容C6一端连接,所述报警喇叭输出端与所述电阻R14一端连接,所述电容C6另一端、所述电阻R14另一端均接地。

7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3均为P型MOS管。

8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述晶体管T1、所述晶体管T2、所述晶体管T3均为三极管。

9.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述中央处理器为SOP8集成芯片。

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