[发明专利]一种吸波器及其制备方法

权利要求书

1.一种吸波器，其特征在于，包括衬底、以及依次位于所述衬底上的第一金属电极、第一金属光栅层、第一介质层、石墨烯双曲层、第二介质层和第二金属光栅层；

所述石墨烯双曲层包括多层交替排布的石墨烯层和第三介质层；

所述第二金属光栅层和所述第一金属光栅层都为二维的方块周期阵列，且所述第二金属光栅层的周期和所述第一金属光栅层的周期不同；

还包括第二金属电极和电压控制电路；

所述第二金属电极包裹所述石墨烯双曲层的侧面；

所述电压控制电路与所述第一金属电极和所述第二金属电极相连，用于通过电压调控，改变所述吸波器的吸收峰。

2.根据权利要求1所述的吸波器，其特征在于，所述石墨烯层和所述第三介质层的层数大于或等于3、小于或等于20。

3.根据权利要求1所述的吸波器，其特征在于，所述第一金属光栅层的周期为所述第二金属光栅层的周期的两倍。

4.根据权利要求1所述的吸波器，其特征在于，所述第一金属光栅层的周期为500nm-50μm；

所述第二金属光栅层的周期为500nm-50μm。

5.根据权利要求1所述的吸波器，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅、氧化铝、聚酰亚胺树脂或氟化镁。

6.根据权利要求1所述的吸波器，其特征在于，所述第一金属光栅层的材料为金、银、铂、铝或铜；

所述第二金属光栅层的材料为金、银、铂、铝或铜；

所述第一金属电极和所述第二金属电极的材料为金、银、铂、铝或铜。

7.一种吸波器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一金属层，对所述第一金属层进行部分刻蚀，以形成第一金属电极和位于所述第一金属电极表面的第一金属光栅层，所述第一金属光栅层为二维的方块周期阵列；

在所述第一金属光栅层表面形成第一介质层；

在所述第一介质层表面形成石墨烯双曲层，所述石墨烯双曲层包括多层交替排布的石墨烯层和第三介质层；

在所述石墨烯双曲层表面形成第二介质层；

在所述第二介质层表面形成第二金属层，并对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二金属光栅层，所述第二金属光栅层为二维的方块周期阵列，且所述第二金属光栅层的周期和所述第一金属光栅层的周期不同；

形成包裹所述石墨烯双曲层的第二金属电极；

形成与所述第一金属电极和所述第二金属电极相连的电压控制电路，以通过电压调控，改变所述吸波器的吸收峰。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层表面形成石墨烯双曲层包括：

采用PMMA技术转移所述石墨烯层以及沉积所述第三介质层。