[发明专利]充放电控制装置和电池装置有效

专利信息
申请号: 201811464725.0 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN109888855B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 前谷文彦 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李庆泽;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 放电 控制 装置 电池
【权利要求书】:

1.一种充放电控制装置,其监视二次电池的电压及电流而控制二次电池的充放电,其特征在于,该充放电控制装置具备:

第一外部端子,其与所述二次电池的一端连接;

第二外部端子;

充电控制FET以及放电控制FET,它们设置在所述二次电池的另一端与所述第二外部端子之间,彼此的漏极连接;

放电基准FET,其漏极与所述充电控制FET的漏极连接,栅极与所述充电控制FET的栅极连接;以及

充放电控制电路,其具有:第一电源端子,其与所述二次电池的一端连接;第二电源端子,其与所述二次电池的另一端以及所述放电控制FET的源极连接;充电控制端子,其与所述充电控制FET的栅极连接;放电控制端子,其与所述放电控制FET的栅极连接;放电过电流基准端子,其与所述放电基准FET的源极连接;以及放电过电流检测端子,其与所述充电控制FET的源极连接,

所述充放电控制电路具有:放电过电流检测电路,其根据基于所述放电过电流基准端子的电压的放电过电流基准电压和所述放电过电流检测端子的电压,监视放电过电流;以及控制电路,其根据所述放电过电流检测电路的信号,输出控制所述放电控制FET的信号。

2.根据权利要求1所述的充放电控制装置,其特征在于,

所述充放电控制装置具备充电基准FET,该充电基准FET的漏极与所述放电控制FET的漏极连接,该充电基准FET的栅极与所述放电控制FET的栅极连接,

所述充放电控制电路具有:充电过电流基准端子,其与所述充电基准FET的源极连接;以及充电过电流检测电路,其根据基于所述充电过电流基准端子的电压的充电过电流基准电压和所述第二电源端子的电压,监视充电过电流,

所述控制电路根据所述充电过电流检测电路的信号,输出控制所述充电控制FET的信号。

3.根据权利要求2所述的充放电控制装置,其特征在于,

所述充电控制FET及所述放电控制FET和所述放电基准FET及所述充电基准FET为纵型的MOSFET。

4.根据权利要求3所述的充放电控制装置,其特征在于,

所述充电控制FET及所述放电控制FET和所述放电基准FET及所述充电基准FET形成在与所述充放电控制电路不同的半导体衬底上。

5.根据权利要求2所述的充放电控制装置,其特征在于,

所述充放电控制电路具有比较电路,所述比较电路对所述放电过电流检测端子的电压与所述第二电源端子的电压进行比较,当检测到所述第一外部端子与所述第二外部端子之间流过充电电流时,向所述控制电路输出充电电流检测信号,

所述控制电路根据所述充电电流检测信号,切换所述放电过电流检测电路的电流路径和所述充电过电流检测电路的电流路径。

6.一种电池装置,其特征在于,所述电池装置具备:

权利要求1至5中的任意一项所述的充放电控制装置;以及

所述二次电池。

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