[发明专利]一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法在审

专利信息
申请号: 201811463937.7 申请日: 2018-12-03
公开(公告)号: CN109585275A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 刘世龙;张泽兴;路景刚 申请(专利权)人: 包头美科硅能源有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/66;H01L31/18;H01L31/20
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 任立;艾中兰
地址: 014000 内蒙古自治区*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 少子寿命 截断 类单晶硅片 质量稳定性 多晶硅片 切片 生产效率 侧面 测试头 杂质层 保证 硅片 尾料 测试
【权利要求书】:

1.一种保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法,其特征在于包括如下步骤:

步骤一:测试晶砖一侧面少子寿命情况;

步骤二:根据所述侧面少子寿命情况,将晶砖截断得到尾料、可切片晶砖、头料、杂质层;

步骤三:测试头料下截断面的少子寿命情况;

步骤四:根据头料下截断面少子寿命情况,把可切片晶砖划分为不同等级:

1)截断面少子寿命较好,则可切片晶砖不需要返截,直接流转到下一个工序;

2)截断面少子寿命一般,则可切片晶砖返截10-20mm后再流转到下一工序;

3)截断面少子寿命较差,则可切片晶砖返截20-60mm后再流转到下一工序。

2.如权利要求1所述的保证多晶硅片或类单晶硅片质量稳定性的方法,其特征在于通过一个升降平台把头料下截断面调整至测试仪的测试高度进行少子寿命测试。

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