[发明专利]芯片信号线结构有效
| 申请号： | 201811463282.3 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109597780B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范金智 | 申请（专利权）人： | 华显光电技术（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/38 | 分类号： | G06F13/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 信号线 结构 | ||
1.一种芯片信号线结构，包括若干绑定管脚，其特征在于，
还包括若干第一开关元件，每一所述绑定管脚对应与一所述第一开关元件连接；其中，
所述绑定管脚包括绝缘隔断设置的上管脚和下管脚，
所述第一开关元件与所述下管脚连接；
各所述第一开关元件的第一控制端相互连接，所述第一控制端用于接收第一电信号，所述第一电信号用于控制各个所述第一开关元件导通或关断；
各所述第一开关元件的检测端相互连接，所述检测端用于在各个所述第一开关元件导通时配合所述上管脚进行开短路检测。
2.根据权利要求1所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述芯片信号线结构还包括若干第二开关元件，所述第二开关元件分别与所述上管脚及所述下管脚连接；各所述第二开关元件的第二控制端相互连接，所述第二控制端用于接收第二电信号，所述第二电信号用于控制各个所述第二开关元件导通或关断。
3.根据权利要求2所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述第一开关元件及所述第二开关元件均为薄膜场效应晶体管器件。
4.根据权利要求3所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述第二开关元件包括第二控制端、第二连接端及测试端，所述第二控制端对应于薄膜场效应晶体管的栅极，所述第二连接端对应于薄膜场效应晶体管的漏极，所述测试端对应于薄膜场效应晶体管的源极，所述第二连接端与所述上管脚连接，所述测试端与所述下管脚连接。
5.根据权利要求3所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述第一开关元件的第一控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述第一开关元件的检测端为薄膜场效应晶体管的源极。
6.根据权利要求1所述的芯片信号线结构，其特征在于，若干所述绑定管脚成矩阵分布设置。
7.根据权利要求6所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述上管脚和所述下管脚相邻设置。
8.根据权利要求7所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述上管脚和所述下管脚位于同一直线上。
9.根据权利要求8所述的芯片信号线结构，其特征在于，所述芯片信号线结构还包括若干第二开关元件，每一所述第二开关元件设置于一所述上管脚和一所述下管脚之间。
10.根据权利要求9所述的芯片信号线结构，其特征在于，每一所述第一开关元件邻近设置于所述下管脚。
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