[发明专利]一种半导体场效应管

说明书

本发明涉及一种半导体场效应管，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源极，所述第三铝电极上设置有漏极，所述第二铝电极与第三铝电极之间设置有SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层上设置有第四铝电极，所述第四铝电极上设置有栅极。本发明结构简单、温度特性好、噪音低、抗辐射性能力强。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种半导体场效应管。

背景技术

场效应管就是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

目前，场效应管制造工艺已趋于完善，但仍存在结构复杂、抗辐射、噪音能力弱、温度特性差等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单、温度特性好、噪音低、抗辐射性能力强的半导体场效应管。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种半导体场效应管，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源极，所述第三铝电极上设置有漏极，所述第二铝电极与第三铝电极之间设置有SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层上设置有第四铝电极，所述第四铝电极上设置有栅极。

所述P型硅衬底是一块杂质浓度较低的P型硅片，在上面扩散两个相距很近、掺杂浓度高的N型区，分别引出两个电极，分别称为源极和漏极，在硅片表面生成一层薄薄的绝缘层，绝缘层上再制作一层铝金属膜作为栅极。栅极与源极之间是3段断续线，表示为增强型，B为衬底引线，一般与源极相连。由于栅极与其他电极及硅片之间是绝缘的，所以称为绝缘栅型场效应管。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述B型衬底引线为镀铜金属线，所述镀铜金属线作为引线，具有较好的导电性有利于电流的收集，同时成本较低。

进一步，所述第一铝电极为铂铝合金，所述铂铝合金具有较强的抗氧化性，同时导电性好，有利于电子、空穴的传输。

进一步，所述SiO2绝缘层为绝缘陶瓷材料，所述绝缘陶瓷材料抗高温氧化，具有较好的温度特性和绝缘特性，有利于防止漏电现象。

本发明的有益效果是：结构简单、温度特性好、噪音低、抗辐射性能力强。

附图说明

图1为本发明一种半导体场效应管结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、P型硅衬底，2、对称N型区，3、第二铝电极，4、源极，5、栅极，6、SiO2绝缘层，7、第三铝电极，8、漏极，9、第四铝电极，10、第一铝电极，11、B型衬底引线。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。