[发明专利]一种带自启动电路的带隙基准源电路在审

专利信息
申请号: 201811459213.5 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109613951A 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 马红玲;刘倩;崔洪艺 申请(专利权)人: 宁波德晶元科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 毛凯
地址: 315104 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 带隙基准源电路 信号输入电路 自启动电路 电路启动 开关电路 启动电路 电流源 反相器 减小 源极 电路 发射极连接 集电极连接 输出端连接 基准电压 阶段电路 启动方式 漏极
【说明书】:

发明公开了一种带自启动电路的带隙基准源电路,采用单边启动方式,较现有技术相比能减小电路启动阶段的电流,本电路包括:带隙基准源电路和启动电路,启动电路包括信号输入电路、反相器以及开关电路;所述信号输入电路包括第三MOS管M3和第一电流源;所述第三MOS管M3的栅极和基准电压输出端连接;所述第三MOS管M3的源极和第二PNP型三极管Q2的集电极连接;开关电路包括第四MOS管M4和第二电流源ID;所述第四MOS管M4的源极和第二PNP型三极管Q2的发射极连接;所述第四MOS管M4的栅极通过反相器和第三MOS管M3的漏极连接。采用本电路,能够实现单边启动带隙基准源电路,减小电路启动阶段电路的电流。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种带自启动电路的带隙基准源电路。

背景技术

基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中,其精度和稳定性直接决定整个系统的精度。

现有技术中启动基准源电路都是通过双边启动的方式进行启动基准源电路例如图1;图1为现有技术中一种自启动带隙基准源电路图,如图1所示的一种现有自启动带隙基准源电路图包括由基准源电路和自动启动电路,其中自启动电路包括MN1MOS管、MN2MOS管以及MP3MOS管,其中MP3MOS管的源极和电源连接,MP3MOS管的栅极和漏极均和MN1MOS管的栅极以及MN2MOS管的漏极连接,MN1MOS管的源极和基准源电路中三级管Q2的集电极连接并接地,MN2MOS管的栅极和基准源电路的基准输出电压连接,MN1MOS的漏极和基准源电路MP2MOS管的栅极以及放大器OPA的输出端连接。

上述自启动带隙基准源电路中,采用的是双边启动方式的电路,在电路其中阶段电路中的电流较大,功耗较大。

综上所述,因此需要设计一种在电路启动阶段电路中的电流较小,功耗较小的带有自启动电路的带隙基准源电路。

发明内容

针对上述现有技术的现状,本发明所要解决的技术问题在于提供一种单边启动的带启动电路的带隙基准源电路,该电路可以在电路启动阶段较小电路的电流和功耗。

为达到上述目的所采用的技术方案为:

一种带自启动电路的带隙基准源电路,包括带隙基准源电路和启动电路,所述带隙基准源电路包括:负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路;所述负反馈放大电路包括:第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器;所述第一镜像电路包括:第一PNP型三极管Q1;所述第二镜像电路包括:第二PNP型三极管Q2;所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接;所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接;所述第二MOS管M2的漏极连接至基准电压输出端;单边启动电路包括信号输入电路、反相电路以及开关电路;

所述信号输入电路包括第三MOS管M3和第一电流源;

所述第三MOS管M3的漏极经第一电流源和电源连接;

所述第三MOS管M3的栅极和基准电压输出端连接;

所述第三MOS管M3的源极和第二PNP型三极管Q2的集电极连接;

所述开关电路包括第四MOS管M4和第二电流源;

所述反相电路包括反相器;

所述第四MOS管M4的漏极经第二电流源和电源连接;

所述第四MOS管M4的源极和第二PNP型三极管Q2的发射极以及第二电阻R2的一端连接;

所述第四MOS管M4的栅极通过反相器和第三MOS管M3的漏极连接。

进一步地,

第三MOS管M3为N沟道MOS管;

进一步地,

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