[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种多结太阳能电池，包括多个子电池(1)以及连接所述子电池(1)的隧道结层(2)，其特征在于，所述隧道结层(2)由层叠的N型半导体层(201)和P型半导体层(202)组成，所述N型半导体层(201)和所述P型半导体层(202)均包括多层第一类掺杂层(2011)，所述第一类掺杂层(2011)选自轻掺杂层和非掺杂层中的任一种，所述N型半导体层(201)和所述P型半导体层(202)还分别包括与所述第一类掺杂层(2011)交替层叠的第二类掺杂层(2012)，所述第二类掺杂层(2012)为重掺杂层，且所述N型半导体层(201)和所述P型半导体层(202)的最外层均为所述第一类掺杂层(2011)。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述第一类掺杂层(2011)的掺杂浓度为0-1E19，所述第二类掺杂层(2012)的掺杂浓度为1E19-1E23。

3.根据权利要求1或2所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述N型半导体层(201)中的第一类掺杂层(2011)为N型轻掺杂层，所述P型半导体层(202)中的第一类掺杂层(2011)为P型轻掺杂层。

4.根据权利要求3所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述隧道结层(2)由N型超晶格结构和P型超晶格结构组成，所述N型半导体层(201)中的第二类掺杂层(2012)为N型重掺杂层，所述P型半导体层(202)中的第二类掺杂层(2012)为P型重掺杂层，所述N型超晶格结构包括交替层叠的N型轻掺杂层和N型重掺杂层，所述P型超晶格结构包括交替层叠的N型轻掺杂层和N型重掺杂层。

5.根据权利要求4所述的多结太阳能电池，其特征在于，相邻的一层所述N型轻掺杂层和一层所述N型重掺杂层构成所述N型超晶格结构的一个周期，相邻的一层所述P型轻掺杂层和一层所述P型重掺杂层构成所述P型超晶格结构的一个周期，所述N型超晶格结构和所述P型超晶格结构的周期独立地选自2～30个。

6.根据权利要求4所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述N型超晶格结构与所述P型超晶格结构的周期数相同。

7.根据权利要求4所述的多结太阳能电池，其特征在于，所述N型超晶格结构和所述P型超晶格结构的厚度各自独立地满足5～30nm。

8.一种权利要求1至7中任一项所述的多结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括形成隧道结层(2)的步骤：

在子电池(1)上形成N型半导体层(201)和P型半导体层(202)，所述N型半导体层(201)位于所述子电池(1)远离所述P型半导体层(202)的一侧，或所述P型半导体层(202)位于所述子电池(1)远离所述N型半导体层(201)的一侧，其中，形成所述N型半导体层(201)的步骤以及形成所述P型半导体层(202)的步骤独立地包括：

在所述子电池(1)上交替形成层叠的第一类掺杂层(2011)和第二类掺杂层(2012)，所述第一类掺杂层(2011)选自轻掺杂层和非掺杂层中的任一种，所述第二类掺杂层(2012)为重掺杂层，并使形成的所述N型半导体层(201)和所述P型半导体层(202)的最外层均为所述第一类掺杂层(2011)。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成所述N型半导体层(201)的步骤以及形成所述P型半导体层(202)的步骤独立地包括：

在所述子电池(1)上周期式交替生长第一类掺杂材料和第二类掺杂材料，以形成第一类掺杂层(2011)和第二类掺杂层(2012)，所述第一类掺杂材料的掺杂浓度小于第二类掺杂材料的掺杂浓度，优选所述第一类掺杂材料和所述第二类掺杂材料的掺杂浓度独立地满足0～1E22，优选在一个周期内沉积的所述第一类掺杂材料和所述第二类掺杂材料的厚度总和满足0.5～2nm，优选生长温度为400～800℃。