[发明专利]一种提高正向光的LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811456666.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109545948A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 许英朝;蔡立鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨玉芳 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 金属 第一表面 制备 台阶结构 下电极 正向光 电极 墙体 半导体发光器件 包围 反射作用 发光层 切割道 衬底 正向 辐射 覆盖 保证 | ||
1.一种提高正向光的LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
N型GaN层，位于所述衬底上；
MQW层，位于所述N型GaN层上；
P型GaN层，位于所述MQW层上；其中，所述N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；
上电极，位于所述P型GaN层上；
金属反射墙，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且包围所述MQW层与所述P型GaN层，以形成一墙体；
下电极，位于所述N型GaN层的第一表面区域上，且位于所述金属反射墙与所述MQW层之间。
2.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述金属反射墙的内侧面为斜坡面，所述斜坡面的上坡方向朝向所述金属反射墙的外侧面。
3.根据权利要求2所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述MQW层与P型GaN层叠加后的高度为12000-15000埃。
4.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述金属反射墙、所述上电极、所述下电极的材料相同，为以下金属组合之一：Cr/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au、Ni/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au。
5.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，还包括：
ITO透明导电层，位于所述P型GaN层与所述上电极之间；所述ITO透明导电层的厚度为600-2300埃。
6.根据权利要求1所述的提高正向光的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
7.一种如权利要求1-6任意一项所述的提高正向光的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
S10，提供衬底，于所述衬底的表面依次生长N型GaN层、MQW层以及P型GaN层；
S20，对所述P型GaN层以及MQW层进行干法刻蚀，以裸露部分所述N型GaN层，从而形成台阶结构；
S30，在所述P型GaN层的表面以及裸露的N型GaN层上涂布一层负光阻层；
S40，在负光阻层上依次通过显影、曝光以及蒸镀，以同时形成上电极、下电极以及金属反射墙；其中，所述上电极形成于所述P型GaN层上，所述下电极以及金属反射墙形成于所述N型GaN层裸露的区域上，且所述金属反射墙相对靠近于切割道。
8.根据权利要求7所述的提高正向光的LED芯片的制备方法，其特征在于，蒸镀所采用的金属为Cr/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au或Ni/Al/Ti/Pt/Ti/Pt/Au。
9.根据权利要求7所述的提高正向光的LED芯片的制备方法，其特征在于，S20与S30之间，还包括于所述P型GaN层表面沉积一层ITO透明导电层；所述ITO薄膜厚度为600-2300埃。
10.根据权利要求9所述的提高正向光的LED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤S20中，干法刻蚀的刻蚀深度为12000-15000埃。
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